[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410625184.0 | 申请日： | 2014-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN105633009B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 高娜;陈育浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多层金属布线；
依次沉积第一材料层和第二材料层，覆盖所述多层金属布线中的最上层的金属布线；
对所述第一材料层和所述第二材料层的裸露表面实施疏水处理，使所述表面具有疏水性；
依次沉积第三材料层和第四材料层，覆盖所述第二材料层；
沉积扩散阻挡层，覆盖所述第四材料层；其中，所述第一材料层和所述第二材料层的材料为掺氟硅玻璃，所述第三材料层的材料为氧化物，所述第四材料层的材料为氮氧化硅。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述疏水处理的工艺步骤包括：将所述半导体衬底浸入有机溶剂中，所述有机溶剂选用六甲基二硅氧烷；在氮气氛围下对经过所述有机溶剂浸泡的半导体衬底进行加热处理，使残留的所述有机溶剂充分挥发。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料为氮化硅，沉积所述氮化硅的源气体为二氯硅烷和氨气。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用高密度等离子体沉积工艺沉积所述第一材料层，采用等离子体增强沉积工艺沉积所述第二材料层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，自下而上层叠的所述第一材料层、所述第二材料层、所述第三材料层和所述第四材料层构成金属间绝缘层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，沉积所述扩散阻挡层之后，还包括：形成穿透所述金属间绝缘层和所述扩散阻挡层的电连接所述多层金属布线中的最上层的金属布线的金属互连线；形成电连接所述金属互连线的顶层金属布线；沉积钝化层，覆盖所述顶层金属布线和露出的所述扩散阻挡层。
7.一种采用权利要求1-6之一所述的方法制造的半导体器件。
8.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求7所述的半导体器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410625184.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铝包木门窗下框外侧防水装置
- 下一篇：舒适型淋浴房
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
