[发明专利]一种焦炉温度调节控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及焦炉温度调节控制方法，具体涉及一种与干熄焦生产工艺相配套的焦炉成焦温度的调节控制方法。 

背景技术

焦饼中心温度(即成焦温度)是指结焦末期焦炉炭化室中心断面处焦炭的平均温度，它是焦炉加热调节中判断全炭化室焦炭是否成熟的一个指标，是规定燃烧室标准温度的依据，《焦炉技术管理规程》规定焦饼中心温度达到1000±50℃作为其成熟的标志。这项指标制定时，考虑到当时红焦冷却采用的是湿法熄焦工艺，为了确保焦炭质量，焦化行业一般将焦饼中心温度控制在1030～1050℃的上限范围，有的焦化厂甚至控制在1050±50℃。 

在采用干法熄焦工艺对红焦进行冷却时，红焦从装入干熄炉到排出的整个过程需要2个小时左右，红焦在干熄过程中被循环气体缓慢冷却，所以又起到了一个对红焦的延时焖炉作用。 

焦炉本身就是一个高能耗的工业炉窑，在红焦采用干熄的情况下，若仍将焦饼中心温度控制在上限，不仅会提高焦炭在干熄炉内的烧损率，而且会造成焦炉炼焦耗热量过高以及燃烧产生的废气排放量过大，提高了炼焦生产成本，加剧了对大气的污染。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种与干熄焦生产工艺相配套的焦炉成焦温度的调节控制方法，在保证焦炭质量的前提下，将焦炉成焦温度的调控与干熄炉焖炉作用有效结合起来，通过降低焦炉的成焦温度来实现焦炉最大限度的节能减排。 

具体技术方案如下： 

一种焦炉温度调节控制方法，进一步地，包括如下步骤： 

(1)采集预设时间内的实测焦饼数据，根据所采集的相关数据，制定出不同的焦饼中心温度控制值； 

(2)根据步骤(1)制定出的不同焦饼中心温度控制值，结合预设的生产数据确定相对应的燃烧室立火道标准温度； 

(3)测量并计算出同一个炭化室的焦饼中心温度和焦饼表面温度及两项温度的差值，用焦饼表面温度代替焦饼中心温度； 

(4)根据步骤(1)、(2)、(3)确定的各数据之间的对应关系，制定出不同干熄率下的焦饼表面温度所对应的燃烧室立火道标准温度； 

(5)根据步骤(4)确定的燃烧室标准温度制定焦炉加热制度参数； 

(6)测焦饼表面温度； 

(7)判断红焦成熟度。 

进一步地，步骤(1)中，所述实测焦饼数据包括中心温度值、实际干熄率和焦炭质量指；和/或，对应干熄率的高低制定出不同的焦饼中心温度控制值，对焦饼中心温度进行分段调控。 

进一步地，步骤(2)中，预设的生产数据包括结焦时间。 

进一步地，步骤(3)中，采用如下步骤进行测算： 

(3-1)测量焦饼中心温度： 

备两根无缝钢管； 

选择温度正常的炭化室，在装平煤结束后换上装煤孔盖； 

在机、焦两侧的装煤孔分别垂直插入一根钢管，使钢管处于炭化室中心线上； 

推焦前，分别穿入一块不锈钢片，分别悬于机焦侧管中移动位置于三个测温点； 

计算出焦饼中心温度，计算公式如下： 

t_中心＝(PS_上+CS_上+PS_中+CS_中+PS_下+CS_下)÷6； 

其中，PS_上、PS_中、PS_下分别是机侧上、中、下三点焦饼中心温度， 

CS_上、CS_中、CS_下分别是焦侧上、中、下三点焦饼中心温度； 

(3-2)测量焦饼表面温度： 

推焦过程中，对红焦进行测量； 

计算出焦饼表面温度，计算公式如下： 

t_表面＝(t₁+t₂+t₃+……+t₁₅)÷15； 

其中，t₁～t₁₅是所测得的焦饼表面温度的15个温度数据； 

(3-3)计算出焦饼表面温度与焦饼中心温度的差值，计算公式如下： 

t_差＝t_表面－t_中心。 

进一步地，步骤(3-1)中，