[发明专利]一种多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片、其制备方法及应用在审
申请号: | 201410626014.4 | 申请日: | 2014-11-08 |
公开(公告)号: | CN104361998A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 张小俊;郑晓婷 | 申请(专利权)人: | 安徽师范大学 |
主分类号: | H01G11/24 | 分类号: | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 马荣 |
地址: | 241000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 双金属 氢氧化物 纳米 制备 方法 应用 | ||
技术领域
本发明涉及纳米材料合成领域,具体涉及一种多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片、其制备方法及应用。
背景技术
超级电容器具有功率密度高、充电时间短、温度特性好、使用寿命长等优点。随着科学技术突飞猛进的发展以及电子储能产品的更新换代,超级电容器电极材料的研究已经引起了研究者们的极大兴趣。目前,传统的超级电容器电极材料主要有以下几类:碳材料类电极材料、导电聚合物类电极材料、贵金属氧化物类电极材料。高性能的超级电容器电极材料需满足以下两点要求:电极材料的导电性好和比表面积大。然而,在实际应用中,人们发现,这些传统的电极材料或多或少都存在各自的缺陷,如:活性面积小,导电性差、电容量低,循环时间短,能量密度和功率密度小,由于这些缺陷的存在,很难满足现实中更高的应用需求。二元或三元纳米复合材料比单个元素纳米材料有较好的性能和独特的优点,而以金属镍片为基底生长多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片的制备方法还没有公开,而且双金属氢氧化物纳米材料有着广泛的应用。
发明内容
为解决现有技术存在的不存,本发明提供一种多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片。
本发明还提供了一种多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片的制备方法,及其应用,得到多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片,可直接用作超级电容器电极材料。
本发明提供一种多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片,以金属镍片为基底,镍钴双金属氢氧化物垂直有序生长在镍片上。
本发明提供的一种多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片的制备方法,包括以下步骤:
a、镍片的清洗处理工序:
先用砂纸打磨,再依次用1M盐酸、丙酮、乙醇、二次蒸馏水进行超声清洗,超声清洗时间为10-20min;
b、多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片制备工序:
将二次蒸馏水、二价镍盐和二价钴盐混合均匀,得到混合液,再逐滴加入氢氧化钠溶液,不断搅拌使其均匀混合后,倒入反应釜中,将清洗后表面洁净的镍片浸入,将反应釜密闭,反应,冷却至室温,用蒸馏水、无水乙醇清洗,室温干燥,即得到多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片。
步骤b中,将二次蒸馏水、二价镍盐和二价钴盐混合均匀,得到的混合液中,二价镍盐溶液的浓度为0.1M,二价钴盐溶液的浓度为0.1M-1M。
步骤b中,所述反应为在60-100℃下反应4-12h。
步骤b中,加入的氢氧化钠溶液溶度为0.4M-2.2M;加入的氢氧化钠溶液的体积与所述二次蒸馏水的体积比为1:1;镍、钴浓度总和与氢氧化钠浓度之比为1:2。
本发明提供的一种多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片的应用,作为超级电容器的电极材料的应用。
本发明所制备的多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片直接生长在金属镍片上,可直接作为超级电容器的电极材料,不仅增强了导电性,而且实现了长的稳定性,此外二元复合多孔材料增加了材料本身的比表面积,提高了材料的能量密度和功率密度,在能量存储方面具有潜在的应用价值。
本发明中用到的金属镍片,由于其良好的导电性,低廉的价格,而可以广泛的用于以金属镍片为基底的各种不同纳米材料电极的制备。
本发明提供的一种多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片的制备方法,是在密闭的高温高压反应釜中,采用二次蒸馏水作为反应溶剂,加入特定比例的六水合氯化镍、六水合氯化钴混合均匀,然后缓慢滴加氢氧化钠溶液,搅拌得到均匀混合液,通过加热反应体系,产生一个高压环境而制备镍钴双氢氧化物纳米片材料的一种有效方法。所以本发明对反应物的浓度比例、反应温度、反应时间要求严格。本发明操作简便,耗能低,合成成本低,重现性高,所得产物纯度高、分散性好、晶形好且可控制。
附图说明
图1为实施例1制备的多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片的粉末X-射线衍射(XRD)图;
图2为实施例1制备的多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片的能量散射X-射线光谱(EDX)图;
图3为实施例1制备的多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片的低放大倍率的扫描电子显微镜照片(SEM);
图4为实施例1制备的多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片的高放大倍率的扫描电子显微镜照片(SEM);
图5为实施例1制备的多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片的循环伏安曲线图(CV);
图6为实施例1制备的多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片的充放电曲线图;
图7为不同比例的镍钴双金属氢氧化物纳米片材料的充放电对比曲线图;
图8为实施例1制备的多孔镍钴双金属氢氧化物纳米片的具体电容-电流密度对比曲线图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽师范大学,未经安徽师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410626014.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种制造凝胶聚合物电解质的方法
- 下一篇:一种采暖热泵动态控制装置