[发明专利]用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路。

背景技术

GOA(Gate Drive On Array)，是利用薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)液晶显示器阵列(Array)制程将栅极驱动器制作在薄膜晶体管阵列基板上，以实现逐行扫描的驱动方式。

通常，GOA电路主要由上拉部分(Pull-up part)、上拉控制部分(Pull-up control part)、下传部分(Transfer part)、下拉部分(Pull-down part)、下拉维持电路部分(Pull-down Holding part)、以及负责电位抬升的上升部分(Boost part)组成，上升部分一般由一自举电容构成。

上拉部分主要负责将输入的时钟信号(Clock)输出至薄膜晶体管的栅极，作为液晶显示器的驱动信号。上拉控制部分主要负责控制上拉部分的打开，一般是由上级GOA电路传递来的信号作用。下拉部分主要负责在输出扫描信号后，快速地将扫描信号(亦即薄膜晶体管的栅极的电位)拉低为低电平。下拉保维持电路部分则主要负责将扫描信号和上拉部分的信号保持在关闭状态(即设定的负电位)。上升部分则主要负责对上拉部分的电位进行二次抬升，确保上拉部分的正常输出。

随着氧化物半导体薄膜晶体管的发展，氧化物半导体相应的面板周边集成电路也成为关注的焦点。氧化物薄膜晶体管的载流子迁移率是非晶硅薄膜晶体管的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成为可能。因此，氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路未来有可能取代非晶硅的GOA电路，而现有技术中针对氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路的开发较少，尤其需要克服很多由于氧化物薄膜晶体管电性本身带来的问题。例如：传统的非晶硅薄膜晶体管的电学特性中阈值电压一般大于0V，而且亚阈值区域的电压相对于电流的摆幅较大，这样在电路设计中即使某些晶体管在操作时晶体管栅极与源极之间的电压Vgs在等于0V附近产生的漏电流也较小。但氧化物半导体薄膜晶体管由于其材料本身的特性与非晶硅有明显的差异，其阈值电压值在0V左右，而且亚阈值区域的摆幅较小，而GOA电路在关态时很多元件操作在Vgs＝0V，这样就会增加氧化物半导体薄膜晶体管GOA电路设计的难度，一些适用于非晶硅半导体的扫描驱动电路应用到氧化物半导体时就会存在一些功能性问题。此外，在某些外在因素的诱导和应力作用下，氧化物半导体薄膜晶体管有时候也会产生阈值电压往负值减小的趋势，这样将会直接导致氧化物半导体薄膜晶体管GOA电路无法工作，因此在设计电路时还必须要考虑这种元件特性对GOA电路的影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，解决氧化物薄膜晶体管电性对GOA驱动电路的影响，尤其是漏电问题带来的功能性不良，解决目前的氧化物薄膜晶体管扫描驱动电路中下拉维持电路部分在非作用期间不能处于较高的电位的问题。

针对上述目的，本发明提供了一种用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，包括级联的多个GOA单元，设N为正整数，第N级GOA单元包括一上拉控制部分、一上拉部分、一下传部分、一第一下拉部分、一自举电容部分和一下拉维持电路部分；

所述上拉控制部分包括一第十一晶体管，所述第十一晶体管的栅极电性连接于所述第N级GOA单元的前一级GOA单元第N-1级GOA单元的驱动输出端，漏极电性连接于所述第N级GOA单元的前一级GOA单元第N-1级GOA单元的输出端，源极电性连接于第一节点；

所述第一下拉部分包括一第四十一晶体管，所述第四十一晶体管的栅极电性连接于第M+2组时钟信号，漏极电性连接于第一节点，源极电性连接于第二负电位或输出端；

所述下拉维持电路部分包括：第一下拉维持模块与第二下拉维持模块，所述第一下拉维持模块与第二下拉维持模块交互作用；