[发明专利]一种互补色磷光白光OLED器件及其制备方法在审
申请号: | 201410626264.8 | 申请日: | 2014-11-07 |
公开(公告)号: | CN104409661A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 叶尚辉;胡天庆;周舟;黄维 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 汪旭东 |
地址: | 210046 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 互补色 磷光 白光 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光二极管领域,尤其涉及到一种互补色磷光白光OLED器件及其制备方法。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diodes,有机发光二极管)由于其自身轻薄,自发光等优点,在显示和固态照明领域有着广阔的应用前景。OLED白光照明器件可分为互补色白光器件,三基色白光器件和四基色白光器件三种,其中互补色器件尤其是主客体掺杂互补色白光器件由于成分简单,易于实现且具有高的发光效率,在白光OLED照明领域得到了广泛的研究。
三苯胺类小分子由于具有较高的三线态能级,良好的双极性以及优良的薄膜形貌稳定性等诸多优势,在磷光OLED器件的小分子主体材料研究方面受到了普遍的关注。2012年,Yang等人报道了一类新型的三苯胺衍生物双极性小分子TCTAPO((9-(4-(bis(4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)amino)-phenyl)-9H-carbazol-3-yl)diphenylphosphine oxide,(9-(4-(双(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)氨基)-苯基)-9氢-咔唑-3-基)二苯基磷氧)为主体材料的互补色磷光白光器件,得到了47.0lm W-1的高效率,但是器件的CRI(Color Rendering Index,显色指数)却低于60,相对于理想照明光源CRI需达到80的要求而言,处于较低的水平(Yang.X,Wang.L,J.Phys.Chem.C 2012,116,15041)。Huang课题组于2014年报道出另一类三苯胺衍生物TCTA(4,4',4″-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine,4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺)为主体材料的顶发射型互补色暖白光OLED,虽然得到了非常稳定的光谱发射,且器件流明效率高达24.5cd A-1,但所得器件的CRI仍是处于60以下的低水平(Shi.H.Y,Huang.W,Orga.Electron.2014,15,1465)。以三苯胺衍生物小分子为主体材料的互补色磷光白光OLED器件的CRI较低的问题依然未取得实质性的突破。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案如下:
一种互补色磷光白光OLED器件,由下到上分别为ITO玻璃基底层、空穴传输层、发光层、电子传输层,金属阴极层;ITO玻璃基底层是以ITO导电玻璃作为器件的衬底和阳极,PEDOT:PSS作为空穴注入层和电极修饰层进一步形成空穴传输层,TPBI为器件的电子传输层,钙和银构成金属阴极层,其特征在于发光层由主体材料DTPAFB和OXD-7,客体材料FIrpic、Ir(bt)2(acac)构成,DTPAFB的分子式如下:
上述互补色磷光白光OLED器件的电子传输层、发光层、TPBI、钙、银的厚度分别为35纳米、55纳米、35纳米、10纳米、100纳米。
上述互补色磷光白光OLED器件的主体材料和客体材料的比例为DTPAFB:OXD-7:FIrpic:Ir(bt)2(acac)=19:11:3:(0.09-0.12)。
一种互补色磷光白光OLED器件的制备方法,包括如下步骤:
步骤一:ITO导电玻璃作为器件的衬底和阳极,在经过裁切和刻蚀后,依次经过洗涤剂清洗,超纯水、丙酮、乙醇三步超声清洗处理并烘干。
步骤二:将步骤一中烘干的ITO玻璃经过紫外臭氧处理15分钟。
步骤三:在步骤二中处理好的ITO玻璃上旋涂PEDOT:PSS原液作为空穴注入层,并起到润滑ITO玻璃基底的作用。
步骤四:将步骤三中旋涂好的基片放入鼓风干燥箱中在120℃下退火20分钟后转移到氮气手套箱。
步骤五:将预先配制好的溶解充分的发光层混合溶液旋涂于步骤四退完火的基片上,之后置于热台在120℃下退火20分钟。
步骤六:将步骤五中的基片接着转移至多源有机小分子真空蒸镀系统中,抽真空至腔室压力低于9×10-5Pa之后,保持在该压力下接着蒸镀一层35nm厚的TPBI作为电子传输层,停止加热后在该真空状态下待蒸发源温度冷却至60℃以下,向蒸镀腔室充入手套箱中的氮气至常压后将基片从中取出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择