[发明专利]三氯氢硅的合成工艺在审
申请号: | 201410626677.6 | 申请日: | 2014-11-10 |
公开(公告)号: | CN105645417A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 张晶 | 申请(专利权)人: | 青岛首泰农业科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266000 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三氯氢硅 合成 工艺 | ||
【权利要求书】:
1.一种三氯氢硅的合成工艺,其特征在于:所述方法包括以下步骤:
(1)把精馏工段的二氯二氢硅DCS在蒸发器中气化,然后将气态的二氯二氢硅DCS通入流化床反应器和过量的HCl反应来制备三氯氢硅;
(2)精馏工段15-20小时内聚集的DCS反应结束后,转入硅粉(Si)和氯化氢(HCl)的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程。
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