[发明专利]一种荧光材料及其制备方法,和发光装置有效

专利信息
申请号: 201410627319.7 申请日: 2014-11-10
公开(公告)号: CN104357051A 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 朝克夫;那日苏;张敏;特古斯 申请(专利权)人: 朝克夫
主分类号: C09K11/68 分类号: C09K11/68;C09K11/78;C09K11/86;H01L33/50
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 赵永强;郑世奇
地址: 010022 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 一种 荧光 材料 及其 制备 方法 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种荧光材料,其特征在于:所述荧光材料被波长范围在240~540nm的光所激发发红光,其化学组成通式为MaAbQcOdDe:Rf,其中M为Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba、Be、Zn、Y、Gd、Ga中的至少一种元素;A为Li、Na、K、Bi中的一种元素,且M和A不可同时出现相同元素;Q选自Mo、W中的至少一种元素;O为氧元素;D选自Cl-、F-、Br-、I-、NH4+、Au+、Ag+中的一种离子;R为选自Eu、Nd、Dy、Ho、Tm、La、Ce、Er、Pr、Sm、Yb、Lu、Sb、Tb、Mn中的至少一种元素,其中Eu是必须选择的元素;a、b、c、d、e、f为摩尔系数,0.1≤a≤5,0.01≤b≤3,0<c≤8,1<d≤32,0≤e≤1,0.001≤f≤1,且0.1≤a+b+f≤9,4c=d+e。

2.根据权利要求1所述的荧光材料,其特征在于:当M选择Mg、Ca、Sr、Ba、Be、Zn、Cd的一种或者多种的时候,a+b+f=1且c=a+b+f。

3.根据权利要求1所述的荧光材料,其特征在于:当M选择Li、Na、K的一种或者多种的时候,a+b+f=1且c=2(a+b+f)。

4.根据权利要求1所述的荧光材料,其特征在于:当M选择Lu、La、Y、Gd的一种或者多种的时候,a+b+f=1且c=3(a+b+f)。

5.根据权利要求1所述的荧光材料,其特征在于:当M选择Mg、Ca、Sr、Ba、Be、Zn的一种和Y、Gd的一种的时候,c=a+b+f,其中a包括了Mg、Ca、Sr、Ba、Be、Zn、的一种和Y、Gd的一种的元素系数之和。

6.一种制备权利要求1-5任一所述的荧光材料的方法,包括以下的步骤:

(1)将含M的单质、化合物或盐,含A的单质、化合物或盐,含Q的化合物或盐,含D的化合物或盐,含R的化合物或盐为原料,并加入助熔剂,研磨均匀;

(2)步骤(1)中的助熔剂以含D的化合物或盐为原料;

(3)将步骤(2)得到的混合物在空气中高温煅烧;

(4)将步骤(3)得到的煅烧产物冷却后,粉碎,过筛而成所述荧光材料。

7.根据权利要求6所述的制备荧光材料的方法,其特征在于:在所述步骤(1)中提到的助熔剂的重量比为所要制成的荧光材料总重量的0.001-12Wt%。

8.根据权利要求6所述的制备荧光材料的方法,其特征在于:所述步骤(2)中高温煅烧为一次或多次。

9.根据权利要求8所述的制备荧光材料的方法,其特征在于:每次高温煅烧温度为500~1200℃,煅烧时间为1~15小时。

10.一种发光装置,包括作为激发光源的发光元件和发光层,所述发光层包括能够将激发光源的至少一部分光转换的荧光材料,其特征在于:所述发光元件为发射光谱峰值在240~540nm的紫外-蓝绿光区域范围内的半导体芯片;所述的荧光材料包括至少一种以上的权利要求1~5中任何一项所述的荧光材料。

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