[发明专利]一种增加磁性粉体在镁合金微弧氧化膜中含量的方法在审
| 申请号： | 201410627707.5 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN104313665A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 邵忠财;孔冰;张弘 | 申请（专利权）人： | 沈阳理工大学 |
| 主分类号： | C25D11/30 | 分类号： | C25D11/30;C25D15/00 |
| 代理公司： | 沈阳火炬专利事务所(普通合伙) 21228 | 代理人： | 李福义 |
| 地址： | 110159 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增加 磁性 镁合金 氧化 含量 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种增加磁性粉体在镁合金微弧氧化膜中含量的方法，其特征在于：其包括如下步骤：
(1)镁合金经除油后，表面用去离子水清洗干净并吹干；
(2)将清洗后的镁合金放入外侧底部具有磁铁的电解槽中，电解槽内的电解液内加有磁性粉体搅拌电解液，使磁性粉体均匀的覆盖在镁合金基体的表面；磁性粉体粉体的加入量在3～5g/L；
(3)将均匀覆盖磁性粉体的镁合金进行微弧氧化处理，处理时间为15 30min，微弧氧化电解液为：20g/L硅酸钠，10g/L氟化钠；
(4)清洗：将微弧氧化处理后的镁合金用去离子水清洗；
(5)干燥：将清洗的镁合金吹干，得到磁性粉体含量高的磁性粉体复合微弧氧化陶瓷膜。
2.根据权利要求1所述的增加磁性粉体在镁合金微弧氧化膜中含量的方法，其特征在于：所述磁性粉体为纳米级磁性粉体或非磁性粉体表面包覆磁性金属。
3.根据权利要求2所述的增加磁性粉体在镁合金微弧氧化膜中含量的方法，其特征在于：所述纳米级磁性粉体为铁氧体、金属铁、钴或镍粉。
4.根据权利要求2所述的增加磁性粉体在镁合金微弧氧化膜中含量的方法，其特征在于：所述非磁性粉体表面包覆磁性金属为Ni包覆陶瓷粉体或Ni包覆非磁性金属粉体。
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