[发明专利]等离子体处理装置、基片卸载装置及方法

权利要求书

1.用于等离子体处理装置的基片卸载装置，包括：

静电夹盘，其上表面设置有用于支撑基片中央区域的凸出部以及环绕所述凸出部的凹陷区域；

聚焦环，设置在所述凹陷区域内，用于改善等离子体处理装置内的等离子体分布，包括邻近所述凸出部的第一部分以及远离所述凸出部的第二部分，所述第一部分的上表面不高于所述凸出部的上表面，以便于使得基片的边缘区域设置于所述第一部分的上方，所述第二部分的上表面高于所述凸出部的上表面，以限位基片于所述凸出部与所述第一部分；

控制器，用于控制所述聚焦环的升降运动，在卸载基片时，所述控制器控制所述聚焦环向上抬升，所述聚焦环的抬升迫使基片的下表面脱离所述静电夹盘；

分离装置，用于在基片的下表面脱离所述静电夹盘后，进一步分离聚焦环与基片；

传送臂，用于在聚焦环与基片分离后，将基片移出

还包括一升举顶针，所述升举顶针包括：

可升降的第一级顶杆，所述第一级顶杆呈筒状；

设置在所述第一级顶杆内的第二级顶杆，所述第二级顶杆可相对于所述第一级顶杆作升降运动，作为所述的分离装置；

所述聚焦环内设置有通道，所述通道容许所述第二级顶杆通过，但不容许所述第一级顶杆通过；

所述控制器可用于控制所述第一级顶杆抬升所述聚焦环，进而间接抬升所述基片，从而实现基片与所述静电夹盘的脱离；在基片与静电夹盘脱离后，控制所述第二级顶杆的上升，以使得所述第二级顶杆穿过所述通道而作用在基片上并抬升基片，从而实现聚焦环与基片的分离。

2.如权利要求1所述的卸载装置，其中，所述静电夹盘内设置有通道；至少一升举顶针设置在所述通道内；

在所述控制器的控制下，所述升举顶针透过所述通道抬升或下降所述聚焦环，从而所述控制器实现对所述聚焦环升降运动的控制。

3.如权利要求1所述的卸载装置，其中，所述聚焦环的第一部分与第二部分之与基片接触的表面共同限定了一基片容置空间，所述基片容置空间的设置足以使得，在脱离所述静电夹盘后并被进一步抬升的过程中，基片仍能被稳定保持在所述基片容置空间内。

4.如权利要求3所述的卸载装置，其中，所述第二部分之与基片接触的表面包括一斜面，以使得所述基片容置空间的顶部宽度大于底部宽度。

5.如权利要求1所述的卸载装置，其中，所述分离装置可在所述控制器的控制下作升降运动，所述传送臂可在所述控制器的控制下作直线水平运动。

6.如权利要求1所述的卸载装置，其中，所述静电夹盘内设置有第二通道；所述分离装置包括设置在所述第二通道内的第二升举顶针；

在所述控制器的控制下，所述第二升举顶针透过所述第二通道作用在基片的下表面，并通过抬升基片以实现聚焦环与基片的分离。

7.如权利要求1所述的卸载装置，其中，所述第二级顶杆的设置方式满足：在所述第一级顶杆升降时，所述第二级顶杆随之升降。

8.如权利要求1所述的卸载装置，其中，所述聚焦环不为完整的环形，即所述聚焦环的环体结构存在缺口；一传送臂可自所述缺口处进入所述聚焦环内，并将基片自聚焦环移出。

9.如权利要求1所述的卸载装置，其中，所述聚焦环作为基片转移过程中的载体，随基片一起被移入或移出。

10.如权利要求1所述的卸载装置，其中，所述基片的厚度小于等于400微米。

11.如权利要求1所述的卸载装置，其中，所述控制器还可用于在基片处理的过程中控制聚焦环的升降。