[发明专利]金属氧化物半导体场效应管的终端结构及其制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效应管的终端结构的制造方法，包括下列步骤：

提供N型衬底；

在所述N型衬底上形成氧化层；

通过光刻及刻蚀所述氧化层形成仅有两个的P型区注入窗口；

通过两个P型区注入窗口向所述N型衬底内注入P型杂质离子，形成有且仅有两个的P型低掺杂区域，包括靠近有源区的第一P型低掺杂区域和相对远离有源区的第二P型低掺杂区域，注入剂量为1.5*10¹¹～2*10¹³/cm²，注入能量为20千电子伏～80千电子伏；所述第一P型低掺杂区域的长度小于所述第二P型低掺杂区域的长度；

对所述第一P型低掺杂区域和第二P型低掺杂区域的杂质离子进行扩散处理；

形成多晶硅场板，所述多晶硅场板覆盖所述第一P型低掺杂区域上方的氧化层；

在所述第二P型低掺杂区域远离所述第一P型低掺杂区域的一侧光刻并注入N型离子形成截止环；

对所述第一P型低掺杂区域和第二P型低掺杂区域的杂质离子进行扩散处理的步骤之后，所述第一P型低掺杂区域的长度为10～50微米，所述第二P型低掺杂区域的长度为30～200微米，所述第一P型低掺杂区域与第二P型低掺杂区域的间距为4～20微米。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管的终端结构的制造方法，其特征在于，所述形成多晶硅场板的步骤之后，还包括在所述第一P型低掺杂区域靠近所述有源区的一侧注入P型离子，扩散后形成与所述第一P型低掺杂区域连接的P型阱区的步骤。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管的终端结构的制造方法，其特征在于，所述在所述N型衬底形成氧化层的步骤中，形成的氧化层的厚度为800～1500微米。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应管的终端结构的制造方法，其特征在于，所述通过光刻及刻蚀所述氧化层形成两个P型区注入窗口的步骤中，是采用BOE溶液进行湿法腐蚀。

5.根据权利要求4所述的金属氧化物半导体场效应管的终端结构的制造方法，其特征在于，所述采用BOE溶液进行湿法腐蚀的步骤中，腐蚀之后两个P型区注入窗口上保留有厚度小于20埃的牺牲氧化层。

6.一种金属氧化物半导体场效应管的终端结构，包括N型的截止环，其特征在于，还包括通过离子注入形成于所述截止环与有源区之间的第一P型低掺杂区域和第二P型低掺杂区域，注入剂量为1.5*10¹¹～2*10¹³/cm²，注入能量为20千电子伏～80千电子伏，两个P型低掺杂区域中所述第一P型低掺杂区域相对更靠近所述有源区，所述第一P型低掺杂区域的长度小于所述第二P型低掺杂区域的长度，所述第一P型低掺杂区域的长度为10～50微米，所述第二P型低掺杂区域的长度为30～200微米，所述第一P型低掺杂区域与第二P型低掺杂区域的间距为4～20微米。

7.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体场效应管的终端结构，其特征在于，还包括设于所述第一P型低掺杂区域靠近所述有源区一侧的P型阱区，所述P型阱区与所述第一P型低掺杂区域连接。