[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括：

提供一基板；

形成一层非晶硅薄膜；

用准分子镭射技术对所述非晶硅薄膜的不同区域分别施加不同的温度，使所述非晶硅薄膜变为熔融状态；

所述非晶硅薄膜自温度较低的区域为起点向温度较高的区域结晶，以形成所述低温多晶硅薄膜。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤“用准分子镭射技术对所述非晶硅薄膜的不同区域分别施加不同的温度，使所述非晶硅薄膜变为熔融状态”包括：

对所述非晶硅薄膜的不同区域分别照射不同能量的激光以对所述非晶硅薄膜的不同区域施加不同的温度，以使所述非晶硅薄膜变为熔融状态。

3.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤“用准分子镭射技术对所述非晶硅薄膜的不同区域分别施加不同的温度，使所述非晶硅薄膜变为熔融状态”包括：

所述非晶硅薄膜包括多个间隔设置的第一区域及第二区域，所述第一区域被施加第一温度，所述第二区域被施加第二温度，以使所述非晶硅薄膜变为熔融状态。

4.如权利要求3所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一温度高于所述第二温度，所述非晶硅薄膜结晶时，以所述第二区域为起点向所述第一区域的方向结晶。

5.如权利要求3所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤“所述非晶硅薄膜包括多个间隔设置的第一区域及第二区域，所述第一区域被施加第一温度，所述第二区域被施加第二温度，以使所述非晶硅薄膜变为熔融状态”包括：

提供激光装置，所述激光装置发射激光；

提供第一偏振装置，所述激光通过所述第一偏振装置形成第一偏振光；

提供一光罩，所述光罩包括间隔设置的第一透光区域及第二透光区域，所述第二透光区域上设置第二偏振装置，所述第一偏振光通过所述第二偏振装置以形成第二偏振光，其中，所述第二偏振光的振动方向与所述第一偏振光的振动方向不同，所述第一偏振光透过所述第一透光区域照射到所述第一区域，以使所述第一区域被施加第一温度，所述第二偏振光透过所述第二透光区域照射到所述第二区域，以使所述第二区域被施加第二温度。

6.一种低温多晶硅薄膜的制备装置，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜的制备装置包括：

激光装置，所述激光装置发射激光；

第一偏振装置，所述激光通过所述第一偏振装置形成第一偏振光；

光罩，所述光罩包括间隔设置的第一透光区域及第二透光区域，所述第二透光区域上设置第二偏振装置，所述第一偏振光通过所述第二偏振装置以形成第二偏振光，其中，所述第二偏振光的振动方向与所述第一偏振光的振动方向不同，所述第二偏振光及所述第一偏振光用于使非晶硅薄膜变为熔融状态且给所述非晶硅薄膜不同的区域施加不同的温度。

7.如权利要求6所述的低温多晶硅薄膜的制备装置，其特征在于，所述第二偏振光的振动方向与所述第一偏振光的振动方向的夹角为大于零度且小于九十度。

8.如权利要求6所述的低温多晶硅薄膜的制备装置，其特征在于，所述第二偏振装置设置于所述第二透光区域远离所述激光装置的表面。

9.一种低温多晶硅薄膜，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜由一非晶硅薄膜经过准分子镭射技术熔融，结晶而形成；所述非晶硅薄膜包括多个间隔设置的第一区域及第二区域，熔融的所述非晶硅薄膜重结晶而形成所述低温多晶硅薄膜时以所述第二区域为起点向所述第一区域的方向结晶。

10.如权利要求9所述的低温多晶硅薄膜，其特征在于，所述第二区域的温度低于所述第一区域的温度。