[发明专利]用于光泵浦源的表面放电陶瓷基板及其制备方法

权利要求书

1.一种用于光泵浦源的表面放电陶瓷基板，其特征在于，所述表面放电陶瓷基板包括陶瓷本体和沉积于陶瓷本体上的金刚石耐烧蚀涂层，且所述金刚石耐烧蚀涂层仅沉积在陶瓷本体表面将产生表面放电的区域。

2.根据权利要求1所述的表面放电陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷本体为氧化铝陶瓷或氧化铍陶瓷，所述氧化铝陶瓷中α-Al₂O₃的质量分数在95％以上。

3.根据权利要求1或2所述的表面放电陶瓷基板，其特征在于，所述金刚石耐烧蚀涂层的厚度为40.0μm～100.0μm，且表面电阻1.5×10¹²Ω·cm～9.0×10¹²Ω·cm。

4.一种如权利要求1～3中任一项所述的用于光泵浦源的表面放电陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：

(1)配制含金刚石粉与丙酮的悬浊液；

(2)使用氢氟酸溶液对陶瓷本体进行预处理，预处理完成后，再使用上述悬浊液，对陶瓷本体种植籽晶；

(3)对陶瓷本体不产生表面放电的区域进行遮挡；

(4)在陶瓷本体的表面热丝化学气相沉积金刚石耐烧蚀涂层，得到表面放电陶瓷基板。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，悬浊液是由质量比为75～85∶17～24∶1～2的丙酮、金刚石粉和碳酸镁混合而成。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，选用的金刚石粉由粗粒径金刚石粉和细粒径金刚石粉按5～10∶12～14的质量比混配而成，所述粗粒径金刚石粉的粒径为1.0μm～5.0μm，所述细粒径金刚石粉的粒径为0.1μm～0.8μm。

7.根据权利要求4、5或6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述氢氟酸溶液是由质量比为1.0～1.3∶1的氢氟酸和水混配而成，氢氟酸溶液对陶瓷本体进行预处理的时间控制为5.0min～10.0min。

8.根据权利要求4、5或6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，种植籽晶的具体操作包括：先用至少80目的砂纸对陶瓷本体表面需要进行表面放电的区域进行打磨，然后在至少400目的砂纸上使用步骤(1)中配制的悬浊液在同一区域进行再打磨；将再打磨后的陶瓷基片依次置于异丙醇、无水乙醇和步骤(1)配制的悬浊液中进行超声振荡，且在悬浊液中的超声振荡时间不少于2.0h。

9.根据权利要求4、5或6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，热丝化学气相沉积的工艺条件包括：本底真空度不超过3.0×10^-3Pa，沉积温度为780℃～850℃，沉积气压为3.0kPa～5.0kPa，沉积碳源浓度为1.0％～3.0％，气体总流量为40.0sccm～60.0sccm，灯丝基体距离为1.3mm～1.5mm，沉积速率为1.0μm/h～3.0μm/h。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，碳源选自甲烷、乙烯、乙炔中的两种或三种的等量比混合气体以及氢气，前述碳源气体的纯度均大于99.9％。