[发明专利]BOOST升压电路主功率MOSFET的过载保护装置

权利要求书

1.一种BOOST升压电路主功率MOSFET的过载保护装置，其特征在于，包括参考信号输入电路、过流采样电路和比较器U3A；

所述参考信号输入电路向所述比较器U3A的同相输入端输入参考电压，所述过流采样电路采集BOOST升压电路主功率MOSFET的导通压降，将导通压降叠加直流电压后形成反相端电压，将反相端电压输入到所述比较器U3A的反相输入端；

所述参考电压与主功率MOSFET驱动控制电路输出的方波信号同步，且参考电压的大小与所述反相端电压的大小相适应；所述主功率MOSFET驱动控制电路是为主功率MOSFET提供方波驱动信号的电路；

所述比较器U3A比较同相输入端的参考电压与反相输入端的反相端电压，输出相应的高低电平至主功率MOSFET驱动控制电路的使能端，使得主功率MOSFET的导通压降低于限制的安全电压时，主功率MOSFET驱动控制电路输出方波信号至BOOST升压电路的主功率MOSFET，主功率MOSFET正常工作，主功率MOSFET的导通压降高于限制的安全电压时，主功率MOSFET驱动控制电路关断方波信号的输出，主功率MOSFET停止工作；

所述参考信号输入电路包括：

运算放大器U8，同相输入端接主功率MOSFET驱动控制电路的时钟信号，反相输入端通过电阻R45接地，同时通过电阻R46接输出端，输出端通过电阻R47接三极管Q1的基极；

三极管Q1，基极还连接电阻R47，并通过电阻R1接地，发射极接地，集电极通过依次串联的电阻R5、电阻R4接电源；

电源经电阻R4接比较器U3A的同相输入端，比较器U3A的同相输入端还通过电容C1接地，

当主功率MOSFET驱动控制电路的时钟信号是高电平时，三极管Q1导通，电源电压经电阻R4分压后输入比较器U3A的同相输入端；当主功率MOSFET驱动控制电路的时钟信号是低电平时，三极管Q1截止，比较器U3A同相输入端为电源电压经电阻R4和电容C1分压的电压。

2.根据权利要求1所述的BOOST升压电路主功率MOSFET的过载保护装置，其特征在于，

所述过流采样电路包括：

并联的二极管D2和二极管D3，两者的负极分别接两个主功率MOSFET的导通电阻，两者的正极通过依次串联的电阻R6和电阻R7接比较器U3A的反相输入端，二极管D4，正极接地，负极接在电阻R6和电阻R7之间；

电源通过依次串联的电阻R9和电阻R8接地，并在经过电阻R9分压后输入值比较器U3A的反相输入端，比较器U3A的反相输入端还通过电容C2接地，

并联的二极管D2和二极管D3形成或门，将两个主功率MOSFET中较大的导通压降叠加电阻R9和电阻R8之间的电压后输入到比较器U3A的反相输入端。

3.根据权利要求1所述的BOOST升压电路主功率MOSFET的过载保护装置，其特征在于，

还包括滞回比较器、延时保护电路和集电极开路电路；

滞回比较器包括：

比较器U3B，反相输入端通过依次串联的电阻R10和电阻R11接电源，及通过电容C5接地，正相输入端通过依次串联的电阻R13和电阻R12接电源，及通过依次串联的电阻R14和电阻R21接电源，输出端连接比较器U3C的反相输入端；

电阻R10和电阻R11之间的节点接比较器U3A的输出端，电阻R12和电阻R13之间的节点通过电容C3接地，电阻R21和电阻R14之间的节点通过二极管D1接到电阻R4和电阻R5之间；

所述集电极开路电路包括：

比较器U3C，反相输入端接到电阻R21和电阻R14之间，同相输入端通过电阻R16接地，输出端接主功率MOSFET驱动电路的使能端；

所述延时保护电路包括：

比较器U3D，同相输入端通过电阻R17连接比较器U3C的同相输入端，及通过电阻R12接电源，反相输入端通过依次串联的电阻R18、二极管D6和电阻R21接电源，及通过并联的电阻R19和电容C4接地，输出端接比较器回路的输出端。