[发明专利]一种本振IQ信号相位幅度校准装置有效

专利信息
申请号: 201410632365.6 申请日: 2014-11-11
公开(公告)号: CN104320204A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 刘言;李斌;刘林海;田素雷;张晓峰;赵建欣;陈明辉 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
主分类号: H04B17/11 分类号: H04B17/11;H04B17/21;H04B1/40
代理公司: 河北东尚律师事务所 13124 代理人: 王文庆
地址: 050081 河北省石家庄市中山西*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 iq 信号 相位 幅度 校准 装置
【权利要求书】:

1.一种本振IQ信号相位幅度校准装置,其特征在于:在本振源(101)输出端口之后依次串接相位校准电路(102)和幅度校准电路(103);所述的相位校准电路(102)由第一至第四相位校准支路组成;所述的幅度校准电路(103)由第一至第二幅度校准支路组成;第一相位校准支路对本振信号中的Ip信号进行相位校准处理后输出至第一幅度校准支路,第一幅度校准支路对输入的信号进行幅度校准后对外输出校准后的Ip信号;第二相位校准支路对本振信号中的In信号进行相位校准处理后输出至第一幅度校准支路,第一幅度校准支路对输入的信号进行幅度校准后对外输出校准后的In信号;第三相位校准支路对本振信号中的Qp信号进行相位校准处理后输出至第二幅度校准支路,第二幅度校准支路对输入的信号进行幅度校准后对外输出校准后的Qp信号;第四相位校准支路对本振信号中的Qn信号进行相位校准处理后输出至第二幅度校准支路,第二幅度校准支路对输入的信号进行幅度校准后对外输出校准后的Qn信号。

2.根据权利要求1所述的一种本振IQ信号相位幅度校准装置,其特征在于:所述的第一相位校准支路包括多组并联的可编程PMOS缓冲器单元和多组并联的可编程NMOS缓冲器单元;可编程PMOS缓冲器单元由PMOS开关管和PMOS缓冲器组成,Ip信号接PMOS缓冲器的栅极,PMOS缓冲器的漏极接PMOS开关管的源极,PMOS缓冲器的源极接第一幅度校准支路;PMOS开关管的漏极接电源,PMOS开关管的栅极接控制信号;可编程NMOS缓冲器单元由NMOS开关管和NMOS缓冲器组成,Ip信号接NMOS缓冲器的栅极,NMOS缓冲器的源极接NMOS开关管的漏极,NMOS缓冲器的漏极接第一幅度校准支路;NMOS开关管的源极接地,NMOS开关管的栅极接控制信号。

3.根据权利要求1或2所述的一种本振IQ信号相位幅度校准装置,其特征在于:所述的第一相位校准支路与第二至第四相位校准支路结构完全相同。

4.根据权利要求1所述的一种本振IQ信号相位幅度校准装置,其特征在于:所述的第一幅度校准支路包括多组并联的可编程NMOS镜像电流驱动器单元、镜像电流基准电路单元和差分放大器单元;第一相位校准支路的输出信号接差分放大器单元正端NMOS管的栅极,差分放大器单元正端NMOS管的漏极接校准后I路输出的一支信号,第二相位校准支路的输出信号接差分放大器单元负端NMOS管的栅极,差分放大器单元负端NMOS管的漏极接校准后I路输出的另一支信号,差分放大器单元正端NMOS管的源极接差分放大器单元负端NMOS管的源极;可编程NMOS镜像电流驱动器单元由NMOS开关管和NMOS镜像电流驱动器组成,NMOS开关管的漏极接差分放大器单元正端NMOS管的源极,NMOS开关管的栅极接控制信号,NMOS开关管的源极接NMOS镜像电流驱动器的漏极,NMOS镜像电流驱动器的源极接地,NMOS镜像电流驱动器的栅极接镜像电流基准电路参考NMOS管的栅极。

5.根据权利要求1或4所述的一种本振IQ信号相位幅度校准装置,其特征在于:所述的第一幅度校准支路与第二幅度校准支路结构完全相同。

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