[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410632527.6 | 申请日： | 2014-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105590834A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 高娜;陈育浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；
在所述半导体衬底上以及所述沟槽的侧壁和底部沉积材料层；
实施化学机械研磨处理，以使位于晶圆边缘的所述材料层的表面 粗糙度增大；
实施高密度等离子体化学气相沉积于所述沟槽中填充另一材料 层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述化学机 械研磨处理后，还包括实施擦除清洗处理的步骤，以去除残留于所述 材料层表面的颗粒杂质。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽为用于 填充隔离材料以形成浅沟槽隔离结构的沟槽。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述沟槽之 前，还包括在所述半导体衬底上依次沉积衬垫层和硬掩膜层的步骤。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述沟槽中填 充另一材料层之后，还包括：实施另一化学机械研磨，直至露出所述 材料层；通过蚀刻去除所述硬掩膜层和所述衬垫层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述材料层为由 氮氧化硅或者二氧化硅构成的衬里层；所述另一材料层为所述隔离材 料层。
7.一种采用权利要求1-6之一所述的方法制造的半导体器件。
8.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求7所述的半导体 器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
