[发明专利]双节钙钛矿/铜铟镓硒太阳能电池在审
申请号: | 201410632557.7 | 申请日: | 2014-11-12 |
公开(公告)号: | CN105655422A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 马给民 | 申请(专利权)人: | 东莞日阵薄膜光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 523808 广东省东莞市松山湖高新技*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 双节钙钛矿 铜铟镓硒 太阳能电池 | ||
1.一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于,它包括:
上层的钙钛矿层(1),所述钙钛矿层(1)包括依次层压在一起的上透明导电层(11)、钙钛矿吸收层(12)、下透明导电层(13);
下层的铜铟镓硒层(2),所述铜铟镓硒层(2)包括依次层压在一起的氧化锌掺铝导电层(21)、氧化锌层(22)、硫化镉薄膜层(23)、铜铟镓硒吸收层(24)、钼导电层(25)、钠钙玻璃基层(26)。
2.根据权利要求1所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于:所述钙钛矿层(1)与铜铟镓硒层(2)两个节层重叠,中间设置有透明的绝缘层。
3.根据权利要求1所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于:所述钠钙玻璃基层(26)的厚度在1~4mm之间。
4.根据权利要求1所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于:所述钼导电层(25)为钼薄膜,其厚度在0.35~1微米之间。
5.根据权利要求1所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于:所述铜铟镓硒吸收层(24)为1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜或1.0微米标准厚度的铜铟镓硒的晶体,所述铜铟镓硒吸收层(24)的上层表面,将形成带“p-n结”薄膜区域(2401)。
6.根据权利要求1所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于:所述硫化镉层(23)为0.05微米厚的硫化镉层。
7.根据权利要求1所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于:所述氧化锌层(22)为0.1微米厚的绝缘层。
8.根据权利要求1所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于:所述氧化锌掺铝导电层(21)为0.35微米厚的导电透明层,在其上表面设置有0.05微米厚的第一镍层(27),用于加强表面层导电率的导电网格。
9.根据权利要求7所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于:所述第一镍层(27)上表面设置有3.0微米厚的铝膜层(28),该铝膜层为最上一层的导电网格,在其上表面覆有0.05微米厚的第二镍层(29),该第二镍层(29)用于保护铝膜层(28)。
10.根据权利要求8所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于:所述第二镍层(29)上设置有1.0~4.0毫米厚或3.2毫米标准厚度的钠钙覆盖玻璃层(30)。
11.根据权利要求1或5所述的一种双节型钙钛矿、铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于:所述铜铟镓硒吸收层(24)的上层表面,将形成带“p-n结”薄膜区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞日阵薄膜光伏技术有限公司,未经东莞日阵薄膜光伏技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410632557.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的