[发明专利]有机发光二极管显示装置的制造方法有效
申请号: | 201410635479.6 | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN104659284B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 姜贞求;申荣训 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 有机发光二极管 有机发光层 栅极绝缘膜 第一电极 漏极电极 栅极电极 钝化层 有机发光二极管显示装置 有机硅化合物 第二电极 源极电极 沟道层 密封层 制造 | ||
公开了一种OLED显示装置的制造方法。所述方法包括:在基板上形成栅极电极;在设置有栅极电极的基板上形成栅极绝缘膜;在设置有栅极绝缘膜的基板上形成沟道层、源极电极和漏极电极;形成有机发光二极管,所述有机发光二极管包括与所述漏极电极连接的第一电极、形成在所述第一电极上的有机发光层和形成在所述有机发光层上的第二电极;使用有机硅化合物在设置有有机发光二极管的基板上形成具有低于10%的氢含量的钝化层;和在设置有钝化层的基板上形成密封层。
本申请要求2013年11月25日提交的韩国专利申请10-2013-0143523的优先权,在此援引该专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示装置。本发明尤其涉及一种通过减小钝化层内的氢含量来提高氧化物薄膜晶体管的性能的有机发光显示装置的制造方法。
背景技术
在屏幕上实现各种信息的图像显示装置对应于信息通讯时代的核心技术。如此,图像显示装置正以更轻薄和便携性并具有高性能的方式发展。此外,为了提高用户的便利性和空间性,需要柔性显示装置。鉴于这些方面,控制有机发光层的发光量的OLED显示装置作为平板显示装置引起人们的注意。
OLED显示装置包括:形成在基板上的薄膜晶体管阵列;设置在薄膜晶体管阵列上的有机发光单元;和用于与外部隔离的玻璃罩。这种OLED显示装置使用电致发光现象。换句话说,OLED显示装置通过使激子在有机发光层内从激发态跃迁到地(基)态而发光。通过当在有机发光层两侧上的阳极电极和阴极电极之间施加电场时从电子注入电极和空穴注入电极注入到有机发光层中的电子和空穴的重新组合形成激子。
详细地说,OLED显示装置包括由彼此交叉的栅极线和数据线界定的多个布置子像素的像素区域。当从各条栅极线施加栅极脉冲时,每个子像素从各条数据线接收数据信号。此外,每个子像素发射出与接收的数据信号对应的光。这种子像素包括:形成在基板上的薄膜晶体管;和与薄膜晶体管连接的有机发光单元。
图1是显示普通OLED显示装置的像素区域的剖面图。
参照图1,OLED显示装置100包括:形成在基板101上的阵列层103;形成在阵列层103上的有机发光二极管(OLED)层105;配置成包覆OLED层105的钝化层106;以及形成在钝化层106上的粘结层107和密封层110。阵列层103包括形成在基板101上的薄膜晶体管、栅极线、数据线和电源线。OLED层105包括电极和有机发光层。
通过使用PECVD(等离子增强化学气相沉积)方法在基板101上(即在OLED层105上)沉积SiN类或SiO类化合物形成钝化层106。
然而,为了防止OLED层105内的有机发光层劣化,必须在低于100℃的低温状态下进行钝化层106的形成工艺。由于这一点,SiH
随着时间流逝,保留在钝化层106中的氢向钝化层106下方的阵列层103游离。此外,该游离氢H将阵列层103内的薄膜晶体管的氧化物半导体层(沟道层)还原。正因如此,薄膜晶体管的性能必然劣化。
换句话说,钝化层106中残留的氢H使薄膜晶体管的阈值电压Vth偏移。正因如此,产生了诸如屏幕污点和亮度不均匀这样的缺陷。
发明内容
因此,本发明涉及一种OLED显示装置的制造方法,其基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明提供了一种通过使低氢含量的钝化层覆盖具有有机发光层的OLED来防止元件性能劣化的OLED显示装置的制造方法。
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