[发明专利]两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的石墨烯基片及其制备方法

权利要求书

1.一种两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的石墨烯基片，其特征在于：将两亲性钌配合物分子中的芘基通过非共价键的作用固定在石墨烯导电基底上，形成两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的石墨烯基片，其中两亲性钌配合物的化学结构式如下：

。

2.权利要求1所述的两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的石墨烯基片的制备方法，其特征在于具体步骤如下：

（1）两亲性钌配合物溶液的配制：在干净的烧杯中加入超纯水，用氨水调制pH至10~12，称取两亲性钌配合物溶解于上述溶液中，用HCl调节pH至5~7后，制得浓度为49~51μM两亲性钌配合物溶液；

（2）石墨烯分散液的配制：按石墨烯与十二烷基硫酸钠水溶液的质量体积比为2:10~4:10的比例，将石墨烯分散在质量体积百分比浓度为2%的十二烷基硫酸钠水溶液中，超声波分散处理0.5h~1.5h后在15krpm转速下离心分离1~3h除去底部残渣，得到石墨烯分散液；

（3）ITO导电玻璃表面的亲水处理：将ITO导电玻璃浸没于RCA溶液中，轻微震荡除去气泡后移至盛有热水的水浴锅内，加热至90~120℃处理0.5~2h后取出ITO导电玻璃用超纯水洗净，惰性气体吹干；

（4）石墨烯基底的制备：将经亲水处理的ITO基片固定在旋凃仪上，滴加步骤（2）中的石墨烯分散液，启动旋涂仪使石墨烯分散液在ITO基片上均匀铺展成膜，室温放置使其自然干燥，用甲醇清洗基片除去SDS表面活性剂后用惰性气体吹干得到石墨烯基底，其中旋凃仪首先开启低速，低速启动阶段旋转速率为150~200rpm，时间为1~3s，然后开启高速，高速旋转速率为700~1000rpm，时间为70~120s；

（5）石墨烯基底上两亲性钌配合物的定向组装：步骤（4）得到的石墨烯基底浸没于两亲性钌配合物溶液中，轻微震荡除去气泡，在室温下浸渍6~12h后取出用超纯水清洗干净后惰性气体吹干，即得到两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的石墨烯基片。

3.根据权利要求2所述的两亲性钌配合物单分子膜修饰的石墨烯基片的制备方法，其特征在于： RCA溶液为氨水、H₂O₂和超纯水按体积比1:1:5的比例混合而得的溶液。