[发明专利]一种薄膜芯片气体传感器的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜芯片气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、制备一块衬底材料，在该衬底材料的表面首先镀上底电极，再镀半

导体材料薄层，得到半导体气敏元件；

步骤二、在半导体材料薄层之上再镀有无序型金属膜系，最后镀上点电极；

步骤三、在半导体气敏元件的半导体材料薄膜层上方设置紫外灯，将紫外灯、半导体气敏元件固定在设有通气孔的传感器壳体内。

2.如权利要求1所述的一种薄膜芯片气体传感器的制备方法，其特征在于，所述衬底可选有二氧化硅氧化层的硅片或玻璃片或金属片；在选用衬底过程时，对基片进行处理，处理方法为腐蚀，离子注入、原位刻蚀和生长种子层。

3.如权利要求 1 所述的薄膜芯片传感器的制备方法，其特征在于，所述生长种子层的方法为磁控溅射或分子束外延或电化学沉积。

4.如权利要求 1 所述的薄膜芯片传感器的制备方法，其特征在于，所述底电极的金属材料为 Ti 或 Al。

5.如权利要求1所述的薄膜芯片传感器的制备方法，其特征在于，所述半导体材料为Si，Ge，GaAs，ZnO，TiO₂，GaN 和 SiC中任选一种。

6.如权利要求 1 所述的薄膜芯片传感器的制备方法，其特征在于，所述半导体材料的制备方法采用溶胶凝胶法、水解沉淀法、磁控溅射法、真空蒸发法、电子束蒸发法、自组装法和物相沉积法中的任一种。

7.如权利要求 1 所述的薄膜芯片传感器的制备方法，其特征在于，所述无序型金属膜系的材料为 Pt、Au、Pd、Cu、Cr、Ni中任一种。

8.如权利要求1所述的薄膜芯片传感器的制备方法，其特征在于：制备点电极的目的是形成良好的接触，所述点电极材料为Ag 或 Ti。

9.如权利要求1所述的薄膜芯片传感器的制备方法，其特征在于：所述紫外灯的功率为10~50mW。