[发明专利]一种薄膜芯片气体传感器的制备方法无效
申请号: | 201410636884.X | 申请日: | 2014-11-13 |
公开(公告)号: | CN104407033A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 禹胜林 | 申请(专利权)人: | 无锡信大气象传感网科技有限公司 |
主分类号: | G01N27/407 | 分类号: | G01N27/407 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 张惠忠 |
地址: | 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 芯片 气体 传感器 制备 方法 | ||
1.一种薄膜芯片气体传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、制备一块衬底材料,在该衬底材料的表面首先镀上底电极,再镀半
导体材料薄层,得到半导体气敏元件;
步骤二、在半导体材料薄层之上再镀有无序型金属膜系,最后镀上点电极;
步骤三、在半导体气敏元件的半导体材料薄膜层上方设置紫外灯,将紫外灯、半导体气敏元件固定在设有通气孔的传感器壳体内。
2.如权利要求1所述的一种薄膜芯片气体传感器的制备方法,其特征在于,所述衬底可选有二氧化硅氧化层的硅片或玻璃片或金属片;在选用衬底过程时,对基片进行处理,处理方法为腐蚀,离子注入、原位刻蚀和生长种子层。
3.如权利要求 1 所述的薄膜芯片传感器的制备方法,其特征在于,所述生长种子层的方法为磁控溅射或分子束外延或电化学沉积。
4.如权利要求 1 所述的薄膜芯片传感器的制备方法,其特征在于,所述底电极的金属材料为 Ti 或 Al。
5.如权利要求1所述的薄膜芯片传感器的制备方法,其特征在于,所述半导体材料为Si,Ge,GaAs,ZnO,TiO2,GaN 和 SiC中任选一种。
6.如权利要求 1 所述的薄膜芯片传感器的制备方法,其特征在于,所述半导体材料的制备方法采用溶胶凝胶法、水解沉淀法、磁控溅射法、真空蒸发法、电子束蒸发法、自组装法和物相沉积法中的任一种。
7.如权利要求 1 所述的薄膜芯片传感器的制备方法,其特征在于,所述无序型金属膜系的材料为 Pt、Au、Pd、Cu、Cr、Ni中任一种。
8.如权利要求1所述的薄膜芯片传感器的制备方法,其特征在于:制备点电极的目的是形成良好的接触,所述点电极材料为Ag 或 Ti。
9.如权利要求1所述的薄膜芯片传感器的制备方法,其特征在于:所述紫外灯的功率为10~50mW。
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