[发明专利]两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410637336.9 申请日: 2014-11-13
公开(公告)号: CN104446645A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 王华;杨丽;李孔斋;魏永刚;祝星 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C04B41/46 分类号: C04B41/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 两亲性钌 配合 分子 定向 修饰 hopg 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片,其特征在于:将两亲性钌配合物分子中的芘基通过非共价键的作用固定在HOPG导电基底上,形成两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片,其中两亲性钌配合物的化学结构式如下:

2.权利要求1所述的两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片的制备方法,其特征在于具体步骤如下:

(1)两亲性钌配合物溶液的配制:在干净的烧杯中加入超纯水,用氨水调制pH至10~12,称取两亲性钌配合物溶解于上述溶液中,用HCl调节pH至5~7后,制得浓度为49~51μM两亲性钌配合物溶液;

(2)HOPG的表面处理:将胶带按压在HOPG表面上,然后剥离,得到新的光滑导电表面;

(3)HOPG导电基底上两亲性钌配合物的定向组装:将经表面处理后的HOPG基片浸没于两亲性钌配合物溶液中,轻微震荡除去气泡,在室温下浸渍6~12h后取出用超纯水清洗干净后惰性气体吹干,即得到两亲性钌配合物单分子膜定向修饰的HOPG基片。

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