[发明专利]一种用于扩散炉的防爆源瓶在审
申请号: | 201410637486.X | 申请日: | 2014-11-06 |
公开(公告)号: | CN104409391A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 桂晓波;周蓉;李补忠 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;林彦之 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 扩散 防爆 | ||
1.一种用于扩散炉的防爆源瓶,所述源瓶用于装存反应源,其通过进气管路连通至载气源,用于向所述源瓶内通入载气,通过出气管路连通至所述扩散炉的工艺管,用于向所述工艺管通出由载气携带的反应源气体,其特征在于,所述进气管路设有压力传感器,用于检测所述源瓶内的压力,所述出气管路并联设有泄压分路,所述泄压分路设有泄压阀,所述泄压阀具有第一开度,所述压力传感器、所述泄压阀分别连接压力控制器;所述压力控制器通过判断所述压力传感器采集的所述源瓶内的压力是否超过阈值,控制所述泄压阀的开度;其中,当所述源瓶内的压力超过阈值时,执行调整所述泄压阀至第二开度,将所述源瓶内的气体由所述泄压分路排出,对所述源瓶进行泄压,使所述源瓶内的压力符合设定值,当泄压后所述源瓶内的压力符合设定值时,执行调整所述泄压阀恢复至第一开度。
2.根据权利要求1所述的防爆源瓶,其特征在于,在所述压力传感器和所述源瓶之间的所述进气管路设有第一气体流向控制单元,在所述源瓶和所述泄压分路之间的所述出气管路设有第二气体流向控制单元。
3.根据权利要求2所述的防爆源瓶,其特征在于,所述第一气体流向控制单元可限制所述源瓶内的气体通过所述进气管路回流至载气源,所述第二气体流向控制单元可限制所述出气管路的气体回流至所述源瓶内。
4.根据权利要求3所述的防爆源瓶,其特征在于,所述第一气体流向控制单元、第二气体流向控制单元为单向阀。
5.根据权利要求2所述的防爆源瓶,其特征在于,在所述第一气体流向控制单元和所述源瓶之间的所述进气管路设有第一气体导通控制单元,在所述源瓶和所述第二气体流向控制单元之间的所述出气管路设有第二气体导通控制单元。
6.根据权利要求5所述的防爆源瓶,其特征在于,所述第一气体导通控制单元可控制所述进气管路中的载气向所述源瓶的输入或停止,所述第二气体导通控制单元可控制所述出气管路中的反应源气体向扩散炉工艺管的输出或停止。
7.根据权利要求6所述的防爆源瓶,其特征在于,所述第一气体导通控制单元、第二气体导通控制单元为截止阀。
8.根据权利要求1所述的防爆源瓶,其特征在于,所述泄压分路通过所述泄压阀保持导通状态,并作为断电时的过压保护泄压通道,当发生断电时,所述源瓶内的气体在压差的作用下可由所述泄压分路自行排出。
9.根据权利要求8所述的防爆源瓶,其特征在于,所述泄压阀为电磁阀。
10.根据权利要求1~9任意一项所述的防爆源瓶,其特征在于,所述源瓶内的压力设定值为0.1~0.9bar之间的一个单值或一个具有限值的区间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司,未经北京七星华创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410637486.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造