[发明专利]一种高电源抑制比LDO电路在审
| 申请号： | 201410637701.6 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104391533A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 张薇薇;卞兴中;周振宇 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 董红海 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电源 抑制 ldo 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种高电源抑制比LDO电路，其特征在于采用电源噪声前馈通路和适用于该前馈通路的反向嵌套密勒补偿结构。
2.根据权利要求1所述的高电源抑制比LDO电路，其特征在于：通过前馈通路引入和处理电源纹波分量，通过叠加方式作用在功率管栅端，通过精确控制叠加在功率管栅端的电源纹波分量的大小，在功率管栅端进行线性叠加，大幅消除LDO输出电压中电源噪声引入的纹波。
3.根据权利要求2所述的高电源抑制比LDO电路，其特征在于电源分量精确引入采用了通过电阻引入电源纹波分量的改进结构，电源分量的精确处理采用固定偏置尾电流差分电路并结合对共模噪声的失配感应控制，获得所需的电源感应分量，采用的晶体管工作点不随电源电压的变化，输出端是两个支路电源纹波分量的差值，可以精确控制。
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