[发明专利]一种解决硼扩散后表面浓度低的方法

权利要求书

1.一种解决硼扩散后表面浓度低的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将制绒或抛光后的硅片利用硼源高温扩散得到P⁺扩散层；

2）在5%～20%氢氟酸溶液常温下反应5～15mins去除表面的硼硅玻璃；

3）将硅片放入氢氟酸/硝酸/水 混合液体系的刻蚀溶液中反应0.5～2mins，将方阻提升10～20ohm/sq；

4）再将硅片放入碱溶液中常温下反应5～20s；

5）将硅片放入混酸溶液中清洗1～5mins到表面完全疏水；

6）用去离子水清洗并烘干。

2.根据权利要求1所述的一种解决硼扩散后表面浓度低的方法，其特征在于：所述的步骤1）中硼扩散后方阻为30～90ohm/sq。

3.根据权利要求1所述的一种解决硼扩散后表面浓度低的方法，其特征在于：所述的步骤2）中去氢氟酸溶液的浓度为5～20%,反应时间为5～15mins。

4.根据权利要求1所述的一种解决硼扩散后表面浓度低的方法，其特征在于：所述的步骤3）中刻蚀液为氢氟酸/硝酸/水混合液体系，其中所述氢氟酸的重量百分含量为0.01～3%，所述硝酸的重量百分含量为85～95%，余下的重量为水。

5.根据权利要求1所述的一种解决硼扩散后表面浓度低的方法，其特征在于：所述的步骤3）中刻蚀液为氢氟酸/硝酸/水混合液体系，其中所述氢氟酸的重量百分含量为0.1～0.5%，所述硝酸的重量百分含量为90～95%，余下的重量为水。

6.根据权利要求1所述的一种解决硼扩散后表面浓度低的方法，其特征在于：所述的步骤3）中氢氟酸是指浓度为40%-49%的氢氟酸溶液，硝酸是指浓度为68-72%的硝酸溶液。

7.根据权利要求1或4所述的一种解决硼扩散后表面浓度低的方法，其特征在于：所述的步骤3）中反应时间为0.5～2mins，方阻提升10～20ohm/sq。

8.根据权利要求1所述的一种解决硼扩散后表面浓度低的方法，其特征在于：所述的步骤3）中硅片在刻蚀液中反应温度为5～40℃。

9.根据权利要求1所述的一种解决硼扩散后表面浓度低的方法，其特征在于：所述的步骤4）中碱溶液为氢氧化钠或者氢氧化钾，溶液的浓度为0.1～1%，反应时间为5～20s。

10.根据权利要求1所述的一种解决硼扩散后表面浓度低的方法，其特征在于：所述的步骤5）中混酸溶液为氢氟酸/盐酸混合液，清洗时间为1～5mins。