[发明专利]一种基于金刚石晶体的复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201410638045.1 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104451596A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 唐永炳;朱雨;牛卉卉;刘辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;B28D5/04 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金刚石 晶体 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于金刚石晶体的复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在碳纳米管和/或碳纤维的表面上形成阻隔层；
在所述阻隔层上形成用于引导金刚石晶体沉积的形核位点；
在所述阻隔层上沉积金刚石涂层。
2.如权利要求1所述的基于金刚石晶体的复合材料的制备方法，其特征在于，所述阻隔层为无定形的硅基缓冲膜、无定形氧化硅或碳化硅。
3.如权利要求2所述的基于金刚石晶体的复合材料的制备方法，其特征在于，所述阻隔层的厚度小于100nm。
4.如权利要求1至3任一项所述的基于金刚石晶体的复合材料的制备方法，其特征在于，所述形核位点为纳米金刚石籽晶。
5.如权利要求4所述的基于金刚石晶体的复合材料的制备方法，其特征在于，在所述阻隔层上形成用于引导金刚石晶体沉积的形核位点步骤中，采用偏压增强成核或者纳米金刚石微粒悬浮液超生浴的方法生成形核位点。
6.如权利要求1至3任一项所述的基于金刚石晶体的复合材料的制备方法，其特征在于，在所述阻隔层上沉积金刚石涂层步骤中，采用等离子体加强化学气相沉积制备金刚石涂层。
7.如权利要求6所述的基于金刚石晶体的复合材料的制备方法，其特征在于，所述等离子体加强化学气相沉积过程中，反应性气体气氛的氢气浓度大于98％；
和/或，所述等离子体加强化学气相沉积过程中，反应压力低于100hPa，温度高于700℃。
8.如权利要求1至3任一项所述的基于金刚石晶体的复合材料的制备方法，其特征在于，在所述碳纳米管和/或碳纤维的表面上形成阻隔层步骤中，采用电容耦合等离子体化学气相沉积法形成所述阻隔层。
9.根据权利要求1至8任一项所述的基于金刚石晶体的复合材料的制备方法制备得到的基于金刚石晶体的复合材料。
10.一种采用权利要求9所述的基于金刚石晶体的复合材料制备的微米级线锯。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
