[发明专利]一种适合DDR存储器的时域解卷积交织装置及方法在审
申请号: | 201410638172.1 | 申请日: | 2014-11-07 |
公开(公告)号: | CN104461934A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 刘琦 | 申请(专利权)人: | 北京海尔集成电路设计有限公司 |
主分类号: | G06F12/08 | 分类号: | G06F12/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100088 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适合 ddr 存储器 时域 卷积 交织 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及数字信号处理领域,特别涉及一种适合DDR存储器的时域解卷积交织装置及方法。
背景技术
现有技术中,数字电视地面广播传输系统中的涉及时域符号的卷机交织,相应的在接收端需对符号进行解卷积交织处理。解卷积交织需要较大的存储空间,一种典型情况,交织宽度B=52,交织深度M=720,一个符号设需要24bit,则需要约3Mbit的存储空间。
大的存储空间可以采用外接专用RAM(Random-Access Memory,随机存取存储器),这就增加的芯片成本。而芯片公用的DDR(Double Data Rate RAM双倍速率同步动态随机存储器),存储空间很大,解卷积交织装置可以使用此公用DDR来缓存数据。
对于DDR而言,每次读、写操作都需要固定的准备时间和数据处理时间,而对同一bank内、同一行、不同列的连续读操作或者写操作,只需花费一次固定时间。即DDR对连续的不跨行读操作或写操作效率较高,对单个的读写操作效率较低。解卷积交织由于每个通道的延时不同,每次读、写数据的地址都不连续,会显著降低DDR的效率。
针对上述问题,本发明提供了一种适合DDR存储的解卷积交织方法,以复用DDR存储单元,节省片外RAM,并且提高DDR效率。
发明内容
鉴于现有技术中的问题,本发明的目的在于提供一种适合DDR存储的解卷积交织装置及方法,以提高DDR效率,节省片外RAM。
在第一方面,本发明提供一种适合DDR存储器的时域解卷积交织装置,所述装置包括第一双读写口RAM、第二双读写口RAM、一个深度为4的FIFO、第一逻辑控制电路和第二逻辑控制电路,所述第一双读写口RAM或者第二双读写口RAM的物理地址和逻辑地址的对应关系如图2所示,其中,第一逻辑控制电路负责将输入数据或输出数据与第一RAM或第二RAM之间进行交换,具体为:每输入一个有效数据,将该数据缓存到第一RAM或第二RAM的一个逻辑地址中,同时从FIFO中读取一个数据作为输出,并在两个时钟周期后,将上述逻辑地址缓存的数据送入FIFO中;对应于输入的有效数据的逻辑地址存储顺序为:ROW依次加1,从0至51之间变化,并且ROW每增加到51时,COL依次加1,从0至m之间变化,m为自然数,m可根据数据宽度及DDR接口的数据位宽来进行设置;第二逻辑控制电路负责第一RAM或第二RAM与DDR接口之间进行数据交换,其中,在DDR中为通道0至通道50各自分配连续的物理地址空间;当所述第一逻辑控制电路每更新第一RAM或第二RAM内的一组数据时,第二逻辑控制电路将该组数据放入DDR相应物理地址空间中,并读取下一组数据放入对应的第一RAM或第二RAM;所述的第一RAM或第二RAM中数据的逻辑地址读写顺序为:COL依次加1,从0至m之间变化,COL每增加到m时ROW依次加1,COL从0至51之间变化;每次连续读、写一行,可以读一行、写一行交替进行,也可以读完所有行之后再进行写操作。这里的“可以”可以理解成:能够。
优选地,DDR物理地址分配中已预先保证每一行在DDR中对应连续的物理存储地址,从而可以连续读、写DDR。即:DDR物理地址分配中已预先保证第一RAM或第二RAM每一行数据的存储地址,从而可以连续读、写DDR。
优选地,所述第一RAM或第二RAM在写入新值的下一周期,输出旧值。
优选地,所述第一RAM或第二RAM在写入新值的下一周期,输出所述新值。
优选地,所述的第一RAM或第二RAM在写入新值的下一周期,输出所述新值是通过以下步骤实现:使用同步2分频时钟,外部每次写操作,内部先读取并缓存旧值,再写入新值,同时输出缓存,以使得外部实现写新值、读旧值。
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