[发明专利]具有贯通电极的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体芯片，其包括上面设有第一顶部焊盘的第一集成电路；

第二半导体芯片，其包括上面设有第二顶部焊盘的第二集成电路和上面设有第二底部焊盘并与所述第二集成电路相对的第二无源表面，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上使得所述第二集成电路面对所述第一集成电路；以及

导电互连部分，其被配置为将第一半导体芯片电连接至第二半导体芯片，

其中，所述导电互连部分包括：

第一贯通电极，其穿通所述第二半导体芯片，并将所述第二底部焊盘电连接至所述第二顶部焊盘；以及

第二贯通电极，其穿通所述第二半导体芯片，穿过所述第二顶部焊盘的水平面而不接触所述第二顶部焊盘，并将所述第二底部焊盘电连接至所述第一顶部焊盘。

2.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述第二顶部焊盘具有L形，其包括沿着第一水平轴延伸的第一部分和沿着垂直于所述第一水平轴的第二水平轴延伸的第二部分，并且

所述第二贯通电极在所述第一部分与所述第二部分之间竖直地延伸。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，第二底部焊盘具有相对于第二顶部焊盘的L形水平地旋转90度的L形，并且第二底部焊盘与第二顶部焊盘在竖直方向上对齐。

4.根据权利要求3所述的器件，其中：

所述第二贯通电极设置在所述第一顶部焊盘与所述第二底部焊盘之间，并且

所述第一贯通电极和所述第二贯通电极布置为沿着所述第一水平轴和所述第二水平轴中的至少一个彼此间隔开。

5.根据权利要求3所述的器件，其中：

所述第二贯通电极设置在第一顶部焊盘与第二底部焊盘之间，并且

所述第一贯通电极和所述第二贯通电极布置为沿着所述第一水平轴与所述第二水平轴之间的对角线水平轴彼此间隔开。

6.根据权利要求1所述的器件，还包括介于所述第一半导体芯片的第一集成电路与所述第二半导体芯片的第二集成电路之间的绝缘粘合剂层，

其中，所述第二贯通电极还穿通所述绝缘粘合剂层以连接至所述第一顶部焊盘。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一半导体芯片的厚度等于或大于所述第二半导体芯片的厚度。

8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一半导体芯片还包括：

第一底部焊盘，其位于与所述第一集成电路相对的第一无源表面上；以及

贯通电极，其穿通所述第一半导体芯片，并将所述第一顶部焊盘电连接至所述第一底部焊盘。

9.根据权利要求1所述的器件，还包括第三半导体芯片，其包括上面布置有第三顶部焊盘的第三集成电路和上面布置有第三底部焊盘且与所述第三集成电路相对的第三无源表面，所述第三半导体芯片堆叠在所述第二半导体芯片上以使得所述第三集成电路面对所述第二无源表面，

其中，所述导电互连部分还包括：

第三贯通电极，其穿通所述第三半导体芯片，并将所述第三底部焊盘电连接至所述第三顶部焊盘；以及

第四贯通电极，其穿通所述第三半导体芯片，穿过所述第三顶部焊盘的水平面而不接触所述第三顶部焊盘，并将所述第三底部焊盘电连接至所述第二底部焊盘。

10.根据权利要求9所述的器件，其中：

所述第三顶部焊盘具有L形，其包括沿着第一水平轴延伸的第一部分和沿着垂直于第一水平轴的第二水平轴延伸的第二部分，并且所述第四贯通电极在所述第一部分和所述第二部分之间竖直地延伸。

11.根据权利要求10所述的器件，其中，所述第二底部焊盘具有相对于所述第三顶部焊盘的L形沿着所述第一水平轴和所述第二水平轴中的一个水平地旋转90度的L形，并且所述第二底部焊盘与所述第三顶部焊盘在竖直方向上对齐。