[发明专利]高压LED芯片的钝化层沉积方法

说明书

本发明提供一种高压LED芯片的钝化层沉积方法，包括以下步骤：钝化层沉积步骤，在完成隔离槽刻蚀工艺后获得的LED芯片的整个表面沉积一层SiO₂钝化层；钝化层去除步骤，去除除了预设的非腐蚀区域之外的其余区域的SiO₂钝化层；非腐蚀区域为隔离槽的侧壁，和隔离槽的底面邻近侧壁的区域；交替进行钝化层沉积步骤和钝化层去除步骤多次，且随交替次数的增加，使非腐蚀区域在其剖面上的宽度逐次增大。本发明提供的高压LED芯片的钝化层沉积方法，其可以减小芯片侧壁的倾斜角度，从而可以避免蒸镀电极连接桥时出现断桥，进而可以提高高压LED芯片的良率。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体地，涉及一种高压LED芯

片的钝化层沉积方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)由于拥有高光效、低耗能、长寿命、无毒绿色等优点正逐步成为传统照明市场的主流照明光源，在景观照明、道路照明、室内照明等领域得到愈来愈多的应用。高压LED(High-Voltage LED)以其小电流驱动、简洁的驱动电路设计等优点逐渐成为照明领域的新突破。从广义上讲，高压LED是指把一个大尺寸芯片(一般为45*45mil)的外延层通过刻蚀深沟槽的方式分割为多个独立的芯粒，并通过蒸镀电极连接桥的方式将各个芯粒以串联的方式连接起来而构成的LED芯片，由于单个芯粒的电压在20mA电流的驱动下为3V，因此，串联后获得的LED芯片的工作电压可以达到45-51V，故称为高压LED芯片。

图1为高压LED芯片的结构剖面图。如图1所示，高压LED芯片的主要制作流程如下：

在衬底1上采用MOCVD工艺制作氮化镓外延层，并进行相应的搀杂工艺由下而上依次获得N型GaN层2、多量子阱区3和P型GaN层4；

采用ICP刻蚀工艺自P型GaN层4开始刻蚀N型GaN层以制作出N电极平台；在P型GaN层4和N型GaN层2上分别进行ITO工艺制作出P电极和N电极；

采用ICP工艺在每相邻两个芯片之间刻蚀出隔离槽；

沉积SiO₂钝化层6；

蒸镀电极连接桥7，以将相邻两个芯片的P电极与N电极相连。

在实际生产过程中，蒸镀电极连接桥时经常出现断桥的情况，从而影响高压LED芯片的良率，产生该情况的原因在于：在完成上述隔离槽的刻蚀工艺之后，获得的隔离槽侧壁比较陡直，这使得在蒸镀电极连接桥7的过程中，电极连接桥7无法“爬”到高度略高的P电极。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种高压LED芯片的钝化层沉积方法，其可以减小芯片侧壁的倾斜角度，从而可以避免蒸镀电极连接桥时出现断桥，进而可以提高高压LED芯片的良率。

为实现本发明的目的而提供一种高压LED芯片的钝化层沉积方法，其包括以下步骤：

钝化层沉积步骤，在完成隔离槽刻蚀工艺后获得的LED芯片的整个表面沉积一层SiO₂钝化层；

钝化层去除步骤，去除除了预设的非腐蚀区域之外的其余区域的所述SiO₂钝化层；所述非腐蚀区域为所述隔离槽的侧壁，和所述隔离槽的底面邻近所述侧壁的区域；

交替进行所述钝化层沉积步骤和所述钝化层去除步骤多次，且随交替次数的增加，使所述非腐蚀区域在其剖面上的宽度逐次增大。

优选的，所述钝化层去除步骤进一步包括以下步骤：

在所述SiO₂钝化层上制作一层掩膜覆盖所述预设的非腐蚀区域；