[发明专利]一种多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在衬底上形成非晶态氧化物薄膜层的步骤；

2)将所述非晶态氧化物薄膜层进行选择性刻蚀的步骤；

3)对经过步骤2的非晶态氧化物薄膜层进行钝化和退火处理；

4)在经过步骤3的氧化物薄膜层上第二次形成氧化物薄膜，通过构图工艺形成有源层沟道；

5)对经过步骤4的有源层沟道进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述的步骤1中非晶态氧化物薄膜层的厚度为

3.根据权利要求1所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述的步骤1中采用磁控溅射法形成非晶态氧化物薄膜层；磁控溅射的条件为：功率为2-8Kw、压强为0.3-0.8Pa，氧气含量为5％-50％，温度为室温。

4.根据权利要求1所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述的步骤2中将非晶态氧化物薄膜层中堆砌不规则的原子刻蚀去除；保留堆砌规则的原子。

5.根据权利要求1所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述的步骤2中所述的选择性刻蚀为干法刻蚀；采用N₂或Ar气体的等离子体对所述非晶态氧化物薄膜层进行轰击；干法刻蚀的条件为：功率为1200-1800W，压强为1500-2500mTorr，温度为120-180℃，处理时间为150-200s。

6.根据权利要求1所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述的步骤2中所述的选择性刻蚀为湿法刻蚀；采用能腐蚀非晶态氧化物薄膜层的酸性刻蚀溶液进行刻蚀，使得在刻蚀区域有10-50％非晶态氧化物薄膜层被保留。

7.根据权利要求1所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述的步骤3中所述的退火处理为在300-450℃下退火1-2h。

8.根据权利要求1所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述的步骤3中所述的钝化处理为等离子体钝化处理。

9.根据权利要求8所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述的等离子体钝化处理为采用N₂O等离子体对非晶态氧化物薄膜层进行钝化处理；所述钝化处理的条件为：功率为800-1200W，压强为1200-1800mTorr，温度为150-250℃，处理时间为50-100s。

10.根据权利要求1所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述的步骤4中采用磁控溅射法在经过步骤3的氧化物薄膜层上第二次形成氧化物薄膜；所述磁控溅射的条件为：功率为3-10Kw，压强为0.8-1.2Pa，氧气含量为5-50％，温度为室温，成膜速率小于

11.根据权利要求1所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述的步骤4中第二次形成的氧化物薄膜的厚度为

12.根据权利要求1所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述的步骤5中所述的退火处理条件为在300-450℃下，退火1-2h。

13.一种多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板是采用如权利要求1-12任意一项所述的多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法制备的。