[发明专利]磁检测装置

说明书

技术领域

本发明涉及通过GMR元件等的磁传感器来检测与其灵敏度轴正交的朝向的磁场成分的磁检测装置。

背景技术

专利文献1和专利文献2所记载的磁检测装置，用灵敏度轴朝向水平方向的磁阻效应元件构成电桥电路，在磁阻效应元件中，用沿垂直方向延伸的软磁性材料形成的磁性体对置而设置。垂直方向的磁场成分被磁性体感应，来自磁性体的下端部的漏磁通中的水平方向成分通过磁阻效应元件来检测。由此，能够检测垂直方向的磁场的强度。

在该磁检测装置中，需要基于外部磁场的水平方向成分的检测输出不与本来的检测输出重叠。因此，电桥电路构成为，即使各个磁阻效应元件的电阻值因水平方向的磁场成分而变化也能够使该变化抵消。

专利文献1：日本特开2009－276159号公报

专利文献2：国际公开WO2011/068146A1

上述磁检测装置中，用于感应垂直方向的磁场的磁性体以透磁率较高的软磁性材料形成。但是，在磁性体的透磁率较高时，会产生如下课题：针对本来不应当检测的水平方向的磁场成分而发生灵敏度的偏差。

即，这种磁检测装置，在水平方向的磁场成分以相同的强度作用于多个磁阻效应元件的情况下，即使磁阻效应元件的电阻值变化，电阻值的变化也互相抵消而不作为检测输出表现出来。然而，在磁性体的透磁率较高时，水平方向的磁场成分被磁性体牵引，因此对各个磁阻效应元件赋予的水平方向的磁场强度容易产生偏差。在该偏差变大后，用电桥电路无法将电阻值的变化抵消，与本来不应当感知的水平方向的磁场强度相应的检测输出成为检测噪声而表现出来。

因此，考虑通过使所述磁性体的软磁特性稍微劣化而使透磁率下降来使水平方向的磁场成分不易被磁性体牵引这一对策。然而，在使磁性体的软磁特性劣化后，顽磁力变大，在被赋予比较大的外部磁场时，在磁性体内容易残留磁化。其结果是，在检测垂直方向的磁场成分时，偏移成分重叠在检测输出上，而且产生灵敏度的偏差。

发明内容

本发明解决上述现有的课题，目的在于，提供如下构造的磁检测装置：朝向磁传感器的灵敏度轴的磁场成分不易作为噪声而重叠，而且从外部作用了较强的磁场时不易受影响。

本发明的磁检测装置设置有：磁场感应层，感应第一方向的磁场成分；以及磁传感器，位于与所述磁场感应层的端部对置的虚拟面上并在与所述第一方向正交的第二方向上具有灵敏度轴，所述磁检测装置的特征在于，

所述磁场感应层具有与所述磁传感器对置的第一部分及远离所述磁传感器的第二部分，第一部分的透磁率比第二部分的透磁率低。

另外，在本发明中，第二部分的顽磁力比第一部分的顽磁力低。

本发明能够构成为，所述磁场感应层用包含铁的合金形成，第一部分的铁的含有量比第二部分的铁的含有量少。

并且，本发明的磁检测装置，优选的是，所述磁场感应层具有比所述第二部分更远离所述磁传感器的第三部分，第三部分的透磁率比第二部分的透磁率低。

在此情况下，第二部分的顽磁力比第三部分的顽磁力低。

本发明能够构成为，所述磁场感应层用包含铁的合金形成，第三部分的铁的含有量比第二部分的铁的含有量少。

在本发明中，优选的是，所述第一部分的铁的含有量是11质量％以上14质量％以下。另外，优选的是，所述第一部分在第一方向上的厚度尺寸是所述磁场感应层在第一方向上的厚度尺寸的45％以下。

在本发明中，例如所述磁传感器具有磁阻效应元件，该磁阻效应元件是固定磁性层和自由磁性层夹着非磁性层层叠而成的，所述固定磁性层的固定磁化朝向第二方向。

发明效果

本发明的磁检测装置，将对第一方向的磁场成分进行感应的磁场感应层的第一部分的透磁率设定得较低。由此，第二方向的磁场成分不易受磁场感应层牵引，能够抑制磁传感器对于第二方向的磁场成分的灵敏度的偏差。因此，能够降低由本来不是检测方向的第二方向的磁场成分带来的检测噪声。

另外，通过事先提高第二部分的软磁特性，能够将磁场感应层的整体的软磁特性维持得较高，作为整体能够减小顽磁力，即使被赋予较大的外部磁场，在磁场感应层也不会残留较大的磁化。由此，能够防止检测输出的偏移的发生、灵敏度的偏差的发生。

附图说明

图1是对本发明的实施方式的磁检测装置的整体构造进行表示的俯视图。

图2是图1所示的磁检测装置的等效电路图。

图3是磁检测装置中所设置的磁传感器的放大剖视图。