[发明专利]用于三电平逆变器的控制电路

权利要求书

1.一种具有一个初级侧电路部分(4)和四个次级侧电路部分(6)的控制电路(32、34、36)，所述初级侧电路部分具有控制逻辑电路(42)和初级侧基准电位(420)，所述次级侧电路部分分别具有第一驱动级(61)、第二驱动级(62)、第三驱动级(63)或第四驱动级(64)，所述第一驱动级(61)、所述第二驱动级(62)、所述第三驱动级(63)和所述第四驱动级(64)为了控制三电平逆变器(10、20)的相位而构造，所述三电平逆变器分别具有第一至第四半导体开关(T1、D1、T2、D2、T3、D3、T4、D4)，其中，每个半导体开关和分配给所述半导体开关的次级侧电路部分(6)具有所分配的第一至第四次级侧基准电位(610、620、630、640)，其中，第一电平转换器(81)、第二电平转换器(82)、第三电平转换器(83)和第四电平转换器(84)分别将所述初级侧电路部分(4)与各自的次级侧电路部分(6)连接起来，并且因此被分别分配给两个电路部分，其中，所述初级侧基准电位(420)相应于所述第一次级侧基准电位(610)以及相应于所述三电平逆变器(10、20)的负电压接头(-DC)的电位，并且其中，至少所述控制逻辑电路(42)、所述第一电平转换器(81)和所述第二电平转换器(82)以及所述第一驱动级(61)和所述第二驱动级(62)是单片集成在HVIC(70)中的。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其中，所述三电平逆变器的半导体开关串联联接或者联接成T拓扑结构，并且其中，所述第一半导体开关(T1、D1)与所述三电平逆变器的负电压接头(-DC)连接并且所述第四半导体开关(T4、D4)与所述三电平逆变器的正电压接头(+DC)连接。

3.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，所述控制逻辑电路(42)以及所有的电平转换器(81、82、83、84)和所有的驱动级(61、62、63、64)都是单片集成的。

4.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，所述第三电平转换器(83)和所述第四电平转换器(84)各由两个部分电平转换器(831、832、841、842)构成，其中，各个第一部分电平转换器(831、841)与所述控制逻辑电路(42)以及所述第一电平转换器(81)和所述第二电平转换器(82)以及所述第一驱动级(61)和第二驱动级(62)共同地单片集成在第一HVIC(761)上，并且其中，各个第二部分电平转换器(832、842)与所分配的驱动级(63、64)单片集成在自身的第二HVIC(762)或第三HVIC(763)中。

5.根据权利要求4所述的控制电路，其中，所述第一HVIC(761)、所述第二HVIC(762)和所述第三HVIC(763)在多芯片模块中利用共同的壳体来遮蔽，或者将每个HVIC布置在印制导线上，所述印制导线与功率半导体模块的其它印制导线是电绝缘的。

6.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，至少一个电平转换器被构造成用于将控制信号从所述初级侧电路部分(4)向所分配的次级侧电路部分(6)单向传输，或者以便传输控制信号和应答信号并因此提供双向传输。

7.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，半导体开关由至少一个功率晶体管(T1、T2、T3、T4)构成。

8.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，半导体开关由具有反并联联接的续流二极管(D1、D2、D3、D4)的IGBT构成。

9.根据权利要求8所述的控制电路，其中，发射极(E1、E2、E3、E4)的电位是各个IGBT的基准电位。

10.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，所述单片集成以SOI技术来实现。