[发明专利]调谐电路、调谐方法和谐振型非接触供电装置有效
申请号: | 201410641345.5 | 申请日: | 2014-11-13 |
公开(公告)号: | CN104333149A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 薛晓博 | 申请(专利权)人: | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
主分类号: | H02J17/00 | 分类号: | H02J17/00 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 刘锋;蔡纯 |
地址: | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 调谐 电路 方法 谐振 接触 供电 装置 | ||
1.一种调谐装置,用于调谐谐振型非接触供电装置,所述调谐装置包括:
采样电路,用于在每个调整周期获取所述谐振型非接触供电装置的电感电流的采样值,并输出第一采样信号和第二采样信号,所述第一采样信号用于表征当前调整周期的采样值,所述第二采样信号用于表征上一调整周期的采样值;
调整指示电路,用于在所述第一采样信号大于所述第二采样信号时,生成与上一调整周期相同的调整信号,在所述第一采样信号小于所述第二采样信号时,生成与上一调整周期相反的调整信号;
控制信号调整电路,用于根据所述调整信号调节逆变电路控制信号的频率;
所述调整信号用于指示将所述控制信号的频率增加预定值或减小预定值。
2.根据权利要求1所述的调谐装置,其特征在于,所述调整指示电路包括:
第一比较器,用于比较所述第一采样信号和所述第二采样信号,输出第一提示信号;
第二比较器,用于比较所述第二采样信号和所述第一采样信号,输出第二提示信号;
寄存器,用于将上一调整周期的调整信号反馈到调整逻辑电路;
调整逻辑电路,用于在所述第一提示信号和第二提示信号表征所述第一采样信号大于所述第二采样信号时,输出与上一调整周期相同的调整信号,在所述第一提示信号和第二提示信号表征所述第一采样信号小于所述第二采样信号时,生成与上一调整周期相反的调整信号。
3.根据权利要求2所述的调谐装置,其特征在于,所述调整指示电路还包括:
第一电压源,连接在所述第一比较器的同相输入端,用于补偿所述第一比较器的失调电压;
第二电压源,连接在所述第二比较器的同相输入端,用于补偿所述第二比较器的失调电压。
4.根据权利要求2所述的调谐装置,其特征在于,所述调谐装置还包括:
跟随逻辑电路,用于输出跟随信号,在所述第一提示信号与所述第二提示信号相互矛盾,且所述采样值小于预定阈值时,使所述跟随信号为有效电平;
跟随控制电路,连接在所述调整指示电路和所述控制信号调整电路之间,在所述跟随信号为有效电平时,输出与上一调整周期相同的调整信号或预定的调整信号,否则,输出当前周期的调整信号。
5.根据权利要求1所述的调谐装置,其特征在于,所述采样电路包括:
采样滤波电路,在每个调整周期获取所述谐振型非接触供电装置的电感电流的采样值;
第一电容,连接在第一输出端和参考端之间;
第二电容,连接在第二输出端和参考端之间;
第一开关,连接在采样值输出端和所述第一输出端之间;
第二开关,连接在所述第一输出端和所述第二输出端之间;
所述第一开关和所述第二开关交替关断和导通。
6.根据权利要求1所述的调谐装置,其特征在于,所述控制信号调整电路包括:
加减计数器,根据所述调整信号增加或减少计数值;
数模转换器,将所述计数值转换为对应的模拟信号;
压控振荡器,根据所述模拟信号输出对应的频率信号;
逆变控制电路,根据所述频率信号生成所述逆变电路的控制信号。
7.一种谐振型非接触供电装置,包括:
如权利要求1-6中任一项所述的调谐装置;
逆变电路,用于根据所述调谐装置提供的控制信号输出高频交流电,所述高频交流电具有与所述控制信号对应的频率;
发射侧谐振电路,包括发射线圈,用于从所述高频电源接收高频交流电;
接收侧谐振电路,包括接收线圈,所述接收线圈与所述发射线圈分离地以非接触方式耦合,所述接收侧谐振电路用于从所述发射线圈接收电能。
8.一种调谐方法,用于调谐谐振型非接触供电装置,所述调谐方法包括:
在每个调整周期获取所述谐振型非接触供电装置的电感电流的采样值,并输出第一采样信号和第二采样信号,所述第一采样信号用于表征当前调整周期的采样值,所述第二采样信号用于表征上一调整周期的采样值;
在所述第一采样信号大于所述第二采样信号时,生成与上一调整周期相同的调整信号,在所述第一采样信号小于所述第二采样信号时,生成与上一调整周期相反的调整信号;
根据所述调整信号调节逆变电路控制信号的频率;
所述调整信号用于指示将所述控制信号的频率增加预定值或减小预定值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽力杰半导体技术(杭州)有限公司,未经矽力杰半导体技术(杭州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410641345.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。