[发明专利]半导体存储器件及操作其的方法

说明书

一种半导体存储器件包括：存储器单元阵列，其具有主块的第一组、主块的第二组、以及替换主块的第一组或主块的第二组的冗余块；修复逻辑，其适于在主块的第二组中的一个或更多个有缺陷时将替换信号使能；控制逻辑，其适于响应于用于访问主块的第二组中的一个或更多个的专用命令来产生用于主块的第二组的地址；以及地址译码器，其适于在替换信号被使能时，基于用于主块的第二组的地址来选择冗余块中的一个或更多个。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年11月14日提交的韩国专利申请第10-2013-0138532号的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明的各个示例性实施例总体而言涉及电子器件，更具体而言涉及半导体存储器件及操作半导体存储器件的方法。

背景技术

随着利用半导体存储器件作为存储媒介的移动信息设备的使用激增，尤其是智能手机和平板电脑，这些半导体存储器件已得到越来越多的关注与重视。应用的广泛出现以及高速处理器和多核心并行化需要半导体存储器件提高性能及可靠性。

半导体存储器件是利用半导体来实现的存储设备，所述半导体例如用硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)制成。半导体存储器件可以分为易失性存储器件或非易失性存储器件。易失性存储器件在电源关闭时不能保留所储存的数据。易失性存储器件包括静态随机存取存储器(SRAM)设备、动态随机存取存储器(DRAM)设备、同步动态随机存取存储器(SDRAM)设备等。非易失性存储器件在电源关闭时能够保留所储存的数据，非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)设备、可编程只读存储器(PROM)设备、电可编程只读存储器(EPROM)设备、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)设备、快闪存储设备、相变RAM(PRAM)设备、磁性RAM(MRAM)设备、电阻式RAM(RRAM)设备、铁电式RAM(FRAM)设备等。快闪存储器件可分为NOR型或NAND型。

非易失性存储器件可包括多个存储块。所述多个存储块可能由于制造过程中的错误而产生缺陷块。具有预定数目或更少数目的缺陷块的非易失性存储器件可视为正常。

然而，可储存安全数据、例如存储器件ID信息的特定存储块不应有缺陷。无论缺陷块的总数是多少，在特定存储块中具有缺陷的非易失性存储器件都可能被视作不合格。这会导致非易失性存储器件的产量降低。

发明内容

本发明的示例性实施例针对提高半导体存储器件的产量。

根据本发明的一个实施例的半导体存储器件可包括：存储器单元阵列，其包括主块的第一组、主块的第二组、以及替换主块的第一组或主块的第二组的冗余块；修复逻辑，其适于在主块的第二组中的一个或更多个有缺陷时将替换信号使能；控制逻辑，其适于响应于用于访问主块的第二组中的一个或更多个的专用命令来产生用于主块的第二组的地址；以及地址译码器，其适于在替换信号被使能时基于用于主块的第二组的地址来选择冗余块中的一个或更多个，以及在替换信号被禁止时根据主块的第一组的缺陷、基于用于主块的第一组的地址来选择冗余块中的一个或更多个。

根据本发明的另一个实施例的半导体存储器件可包括：主块的第一组、主块的第二组、以及冗余块；保证块控制器，其适于接收保证块选择地址以及经由保证块控制线来传输译码保证块选择地址；路由器，其包括耦接至保证块控制线的第一输入端、耦接至冗余块选择线的第一输出端、以及耦接至保证块控制线的第二输出端；冗余块选择器，其适于响应于经由冗余块选择线输入的第一信号来选择冗余块中的一个；以及保证块选择器，其适于响应于经由保证块控制线输入的第二信号来选择主块的第二组中的一个，其中，路由器响应于替换信号来将译码保证块选择地址作为第一信号传输至冗余块选择线。