[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

对于大尺寸、高频率的AMOLED显示屏，为了降低阻容延迟效应(RC delay)，需要采用厚度更高的栅极层，当栅极层的厚度加大时，栅绝缘层的厚度也需要加大，从而对栅线的侧壁(side wall)处实现较好的覆盖，同时保证栅绝缘层的上表面的平整度。然而，栅极层的厚度增加会导致侧壁(side wall)处栅绝缘层的覆盖特性变差甚至出现褶皱或者断裂。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，用于解决现有技术中栅极层的厚度增加导致侧壁处栅绝缘层的覆盖特性变差甚至出现褶皱或者断裂的问题。

为此，本发明提供一种显示基板，包括衬底基板和位于所述衬底基板之上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层和源漏极；所述衬底基板上还设置有辅助层，所述辅助层上设置有第一凹槽，所述栅极和所述栅线位于所述第一凹槽内。

可选的，所述辅助层的材料为树脂或聚酰亚胺。

可选的，所述栅极和所述栅线的厚度大于所述第一凹槽的深度。

可选的，所述栅极和所述栅线的厚度为所述第一凹槽的深度的1.25倍。

可选的，所述栅极和所述栅线的厚度范围为400-1500nm，所述第一凹槽的深度范围为320-1200nm。

可选的，所述栅极和所述栅线的顶部的宽度大于所述第一凹槽的顶部的宽度。

可选的，所述栅极和所述栅线的顶部的宽度比所述第一凹槽的顶部的宽度大0.5-3μm。

可选的，所述栅极和所述栅线的顶部的宽度比所述第一凹槽的顶部的宽度大1-2μm。

本发明还提供一种显示装置，包括上述任一显示基板。

本发明还提供一种显示基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成辅助层，所述辅助层上设置有第一凹槽；在所述第一凹槽内形成栅极和栅线；在所述栅极的上方形成有源层；在所述衬底基板的上方形成源漏极和数据线，所述源漏极位于所述有源层之上；在所述衬底基板的上方形成像素电极。

本发明具有下述有益效果：

本发明提供的显示基板及其制备方法、显示装置中，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层和源漏极，所述衬底基板上还设置有辅助层，所述辅助层上设置有第一凹槽，所述栅极和所述栅线位于所述第一凹槽内，可以减少由于栅极层的厚度增加导致侧壁处栅绝缘层的覆盖特性变差甚至出现褶皱或者断裂的风险。另外，由于所述辅助层的保护，即使采用厚度较大的栅极层，也可以采用厚度较小的栅绝缘层，从而可以提高薄膜晶体管的开态电流。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图；

图2为本发明实施例三提供的一种显示基板的制造方法的流程图；

图3为实施例三中形成辅助层的示意图；

图4为实施例三中形成栅极和栅线的示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的显示基板及其制备方法、显示装置进行详细描述。

实施例一

图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图。如图1所示，所述显示基板包括衬底基板101和位于所述衬底基板101之上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极。所述薄膜晶体管包括栅极、有源层104、源极105和漏极106。所述衬底基板101之上还设置有辅助层102，所述辅助层102上设置有第一凹槽，所述栅极和所述栅线位于所述第一凹槽内。本实施例中，所述栅极和所述栅线统称为栅极图形103，所述栅极图形103位于所述第一凹槽内，可以减少由于栅极层的厚度增加导致侧壁处栅绝缘层的覆盖特性变差甚至出现褶皱或者断裂的风险。另外，由于所述辅助层的保护，即使采用厚度较大的栅极层，也可以采用厚度较小的栅绝缘层，从而可以提高薄膜晶体管的开态电流。