[发明专利]一种化学机械研磨方法

权利要求书

1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：

根据初始氧化层厚度获取待处理芯片的第一缺陷分布，根据所述第一缺 陷分布获取所述待处理芯片缺陷区域的缺陷参数；

根据所述缺陷参数确定所述氧化层的优化厚度，以减少CMP缺陷；

获取所述待处理芯片在所述优化厚度下的第二缺陷分布，并根据所述第 二缺陷分布对所述待处理芯片进行冗余金属填充；

对进行所述冗余金属填充后的所述待处理芯片进行化学机械研磨。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取待处理芯片的第 一缺陷分布以及获取所述缺陷参数为：

利用CMP-DFM工具进行模拟，获取所述待处理芯片的第一缺陷分布以 及所述缺陷参数。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取缺陷区域的缺陷 参数包括：

获取所述缺陷区域的金属的线宽、间距以及第一Dishing值。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氧化层的优化厚度的 确定包括步骤：

A1)设定要消除的缺陷的第二Dishing值；

A2)根据所述第一Dishing值和所述第二Dishing值，利用氧化层优化厚度 计算公式，计算所述氧化层的优化厚度；

A3)检查工艺完成后所述氧化层是否全部去除，如果未全部去除，则调 整所述第二Dishing值，返回步骤A2)，当所述氧化层全部去除时对应的氧 化层的优化厚度为最终确定的优化厚度。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧化层优化厚度计算 公式为：

h20=(v3-v4)×t-D2-D30+(1-v3v1)×h1(v3v2-1)]]>

其中，h₂₀为所述氧化层的优化厚度，h₁为阻挡层厚度，D₂为所述第一 Dishing值，D₃₀为所述要消除的缺陷的第二Dishing值，v₁为阻挡层的平均去 除速率，v₂为氧化层的平均去除速率，v₃为介质层的平均去除速率，v₄为金 属导线的平均去除速率，t为P3阶段的总研磨时间。