[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤，所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括：

在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构；

在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜；

将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中，溶解掉基板上的感光材料，形成氧化物有源层的图形。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构包括：

在基板上形成感光材料层；

以氧化物有源层的图形为掩膜，对所述感光材料层进行掩膜曝光；

对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光，显影形成感光材料层的图形，所述感光材料层的图形的横截面为倒台面。

3.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成感光材料层包括：

在形成有栅极和栅绝缘层的基板上旋涂一层感光材料，形成所述感光材料层。

4.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述以氧化物有源层的图形为掩膜，对所述感光材料层进行掩膜曝光之前还包括：

在真空中对形成有所述感光材料层的基板进行烘干，烘干温度为92-100℃，烘干时间为10-12min。

5.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光包括：

在真空中对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干，反转烘干温度为85-90℃，时间为10-12min，之后对所述感光材料层进行泛曝光，泛曝光光强为90mW/cm²，曝光时间为5-6s。

6.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜包括：

在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜。

7.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化物有源层的材料包括In，Ga，Zn，Hf，Sn，Al中的一种或多种形成的金属氧化物半导体，以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体。

8.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述有机溶剂包括丙酮和氯苯。

9.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：

提供一衬底基板；

通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线；

在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成氧化物有源层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述氧化物有源层的基板上形成刻蚀阻挡层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述刻蚀阻挡层的图形的基板上形成源电极、漏电极和数据线。

10.一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在以权利要求1-9中任一项所述方法制作金属氧化物薄膜晶体管之后，通过一次构图工艺在形成有源电极、漏电极和数据线的基板上形成包括有过孔的钝化层；通过一次构图工艺在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。

11.一种以权利要求1-9中任一项所述方法制作的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极与未被刻蚀阻挡层覆盖的氧化物有源层相连接。

12.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求11所述的金属氧化物薄膜晶体管，还包括位于形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上的包括有过孔的钝化层；位于所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的阵列基板。