[发明专利]一种结型场效应管的制作方法

说明书

本发明提供了一种结型场效应管的制作方法，所述方法包括：S1.在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层；S2.在所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层之间，完成栅极区注入；S3在所述栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层，在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层；S4在所述两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层之间，完成源区注入；在所述两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层之间，完成漏区注入。本发明能够解决结型场效应管制作成本高和沟道宽度不易精确控制的问题。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造工艺技术领域，具体涉及一种结型场效应管的制作方法。

背景技术

场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。它不仅具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且还具有输入电阻高，热稳定性好，抗辐射能力强、噪声低、便于集成等特点。因而，在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。根据结构和工作原理的不同，场效应管可以分为两大类：结型场效应管(Junction Field-Effect Transistor，简称JFET)和绝缘栅型场效应管(InsulatedGate Field-Effect Transistor，简称IGFET)。

对于结型场效应管JFET，现有的制作方法是利用两次光刻、两次离子注入和两次高温驱入，分别形成沟道区和栅极区，再通过一次光刻、一次离子注入、和一次驱入，形成源漏区。

目前的结型场效应管的制作方法存在以下缺点：

(1)每制作一个结型场效应管，需要用到三版光刻，导致制造成本较高；

(2)由于采用光刻，会存在光刻对偏的问题，不容易精确控制P区下方或N区下方的沟道宽度。

因此，需要一种新的结型场效应管制作方法，用于解决以上问题。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种结型场效应管的制作方法，以解决结型场效应管制作成本高和沟道宽度不易精确控制的问题。

第一方面，本发明提供了一种结型场效应管栅极区形成方法，所述方法包括：

在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层；

在所述两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层之间，完成栅极区注入。

其中，所述在N沟道或P沟道表面沉积相距第一预设间隔的两个对立第一侧墙层和第二侧墙层包括：

在N沟道或P沟道表面沉积一层覆盖层，对所述覆盖层进行回刻，形成相距第一预设间隔的两个对立的第一侧墙层和第二侧墙层。

其中，所述覆盖层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化铝和金属中的一种。

第二方面，本发明提供了一种结型场效应管源漏区形成方法，所述方法包括：

在栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层，在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层；

在所述两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层之间，完成源区注入；

在所述两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层之间，完成漏区注入。

其中，所述在栅极区左侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第二预设间隔的两个对立的第三侧墙层和第四侧墙层，在栅极区右侧的N沟道或P沟道表面沉积相距第三预设间隔的两个对立的第五侧墙层和第六侧墙层包括：