[发明专利]一种太阳能级直拉单晶硅的生产方法

权利要求书

1.一种太阳能级直拉单晶硅的生产方法，其特征在于：包括如下步骤：

（1）加料：根据需要的半导体类型将硅原料和搀杂剂放入石英坩埚内；

（2）熔化：将单晶炉关闭并抽真空，使得单晶炉内的压强维持在5Pa以下，然后将加热功率一次性升至95～100千瓦；

（3）稳温：当硅原料熔化成液体后将加热功率降至45千瓦并投入温度自动程序，温度自动程序使得炉内温度保持恒定并维持恒温2小时；

（4）引晶：调整埚位使得硅液液面距导流筒的距离为28～32 mm，将晶转设为8圈每分钟，埚转设为2圈每分钟，然后将籽晶降至硅液液面处进行引晶；引晶的总长度为130～150 mm，引晶时平均拉速控制在3～6 mm/min，初期拉速控制在1～3 mm/min，引晶达30 mm后将拉速控制在3～6 mm/min；

（5）放肩：引晶完成后，将拉速降至0.7 mm/min，加热功率降低5千瓦，放肩时间3～4小时；

（6）转肩：当硅棒直径距等径直径还有5～10 mm时，将拉速提至2.0 mm/min，进行转肩；

（7）等径生长；当硅棒直径达到等径直径时，将拉速降至等径自动初始拉速，等径自动初始拉速设为1.15 mm/min，设定埚升速度，然后投入等径自动程序进行等径生长；

（8）收尾：等径生长完成后，退出等径自动程序，停止埚升，将拉速提至1.0 mm/min，投入收尾自动程序，当长度达到直径值时提断停炉。

2.根据权利要求1所述的一种太阳能级直拉单晶硅的生产方法，其特征在于，所述步骤（4）中调整埚位使得硅液液面距导流筒的距离为30 mm。

3.根据权利要求1所述的一种太阳能级直拉单晶硅的生产方法，其特征在于，所述步骤（4）中的引晶总长度为150毫米。