[发明专利]一种气体传感器芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201410644773.3 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104391027A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 禹胜林 | 申请（专利权）人： | 无锡信大气象传感网科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/407 | 分类号： | G01N27/407 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 气体 传感器 芯片 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种气体传感器芯片的制造方法：其特征在于，包括以下步骤：
在第一层压电基片上开设参比气体通道；
在第二层压电基片上涂覆气体敏感膜；
首先在第四层压电基片的表面上镀上底电极，再镀半导体材料薄层，再镀上无序型金属膜，然后再镀上点电极；
将参比电极设置在第一层压电基片和第二层压电基片之间，将加热电极设置在第二层压电基片和第三层压电基片之间；
将第一层压电基片至第四层压电基片顺次叠压在一起。
2.根据权利要求1所述的一种气体传感器芯片的制造方法，其特征在于，采用磁控溅射法在压电基片上镀底电极。
3.根据权利要求1所述的一种气体传感器芯片的制造方法，其特征在于，采用溶胶凝胶法或分子束外延或电化学沉积制备半导体膜材料薄层。
4.根据权利要求1所述的一种气体传感器芯片的制造方法，其特征在于，所述气体敏感膜的厚度为120-200纳米。
5.根据权利要求1所述的一种气体传感器芯片的制造方法，其特征在于，所述压电基片的材质为氧化锆。
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