[发明专利]一种瞬态触发静电放电保护电路

权利要求书

1.一种瞬态触发静电放电保护电路，包括瞬态触发模块、钳位晶体管开启模块、以及钳位晶体管；所述瞬态触发模块包括电阻R₁、PMOS晶体管M_C；

其特征在于，所述瞬态触发模块还包括二极管D₁、二极管D_C、NMOS晶体管M_N1、M_N2，PMOS晶体管M_R，并且所述瞬态触发模块的PMOS晶体管M_C用所述二极管D_C代替，所述电阻R用所述PMOS晶体管M_R，代替；

所述PMOS晶体管M_R的源极与电源管脚VDD相连，所述PMOS晶体管M_R的漏极与所述二极管D_C的阴极相连，所述二极管D_C的阳极与所述二极管D₁的阳极相连，所述二极管D₁的阴极接地，所述NMOS晶体管M_N1的漏极与所述二极管D_C的阳极相连，所述NMOS晶体管M_N1的源极接地，所述NMOS晶体管M_N1的栅极接所述二极管D₁的阳极，所述NMOS晶体管M_N2的漏极与所述二极管D₁的阳极相连，所述NMOS晶体管M_N2的源极接地，所述NMOS晶体管M_N2的栅极与所述二极管D_C的阴极相连，所述PMOS晶体管M_R的栅极与所述钳位晶体管开启模块的一级反相器的输出端连接。

2.根据权利要求1所述的一种瞬态触发静电放电保护电路，其特征在于，所述PMOS晶体管M_R等效为电阻，所述二极管D_C等效为电容。

3.根据权利要求1或2所述的一种瞬态触发静电放电保护电路，其特征在于，所述钳位晶体管开启模块包括由电阻R、PMOS晶体管M_P构成的一级反相器、由PMOS晶体管M_P01、NMOS管M_NO1构成的二级反相器以及由PMOS晶体管M_P02、NMOS管M_NO3构成的二级反相器；

所述钳位晶体管开启模块的连接关系具体为：

所述电阻R的一端接地，另一端与所述PMOS晶体管M_R的栅极、所述PMOS晶体管M_P的漏极相连以及所述PMOS晶体管M_P的漏记连接，所述PMOS晶体管M_P的源极接所述电源管脚VDD，所述PMOS晶体管M_P的栅极与所述二极管D_C的阴极相连；所述NMOS晶体管M_N01的源极接地，其栅极与所述PMOS晶体管M_P的漏极相连，所述NMOS晶体管M_N01的漏极与所述NMOS晶体管M_N02的栅极以及所述PMOS晶体管M_P01的漏极相连，所述NMOS晶体管M_N02的源极接地，所其漏极与所述PMOS晶体管M_P02的漏极相连，所述PMOS晶体管M_P02的栅极与所述NMOS晶体管M_N01的漏极相连，所述PMOS晶体管M_P01的源极接所述电源管脚VDD，所述PMOS晶体管MP01的栅极与所述电阻R的另一端相连。

4.根据权利要求3所述的一种瞬态触发静电放电保护电路，其特征在于，所述钳位晶体管为NMOS晶体管M_big，所述NMOS晶体管M_big的栅极与所述NMOS晶体管M_N02的漏极相连，所述NMOS晶体管M_big的源极接地，所述NMOS晶体管M_big的漏极接所述电源管脚VDD。

5.根据权利要求4所述的一种瞬态触发静电放电保护电路，其特征在于，所述瞬态触发模块，通过电流脉冲上升时间识别是否为静电放电冲击，若是，则发送第一响应信号至所述钳位晶体管开启模块；

所述钳位晶体管开启模块，根据所述第一响应信号开启所述钳位晶体管；

所述钳位晶体管，用于泄放静电放电脉冲带来的静电电荷。