[发明专利]气体绝缘变电站二次设备发生瞬态电磁骚扰的识别方法有效
申请号: | 201410645966.0 | 申请日: | 2014-11-12 |
公开(公告)号: | CN104459375B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 刘骁繁;崔翔;吴恒天;嵇建飞;焦重庆;王强 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学;江苏省电力公司电力科学研究院;国网山西省电力公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人: | 张文宝 |
地址: | 102206 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 绝缘 变电站 二次 设备 发生 瞬态 电磁 骚扰 识别 方法 | ||
技术领域
本发明属于变电站二次设备电磁兼容领域,特别涉及一种气体绝缘变电站二次设备发生瞬态电磁骚扰的识别方法。
背景技术
GIS(气体绝缘)变电站开关操作引起的瞬态电磁骚扰具有上升时间短,频带宽度宽的特点,因而又被称作特快速瞬态电磁骚扰。在变电站二次设备电磁兼容领域,特快速瞬态电磁骚扰对二次设备的威胁最为严重。我国电网发展到了特高压阶段,根据经验,更高电压等级中的电磁兼容问题将更为严峻。研究特高压GIS变电站的电磁兼容问题,尤其是搞清特快速瞬态电磁骚扰的波形特征,有着迫切的需要。但是在实际的GIS变电站中进行开关操作的次数有限,使能得到的数据数量受到限制,总结的波形特征不具备很好的代表意义。为了解决这一点,我们在特高压GIS真型试验平台上进行了大量试验,对数据进行了统计分析,得到了典型波形参数,提出了特高压GIS变电站二次设备特快速瞬态电磁骚扰的波形识别方法。这对特高压二次设备的监测与保护,具有重要指导意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种气体绝缘变电站二次设备发生瞬态电磁骚扰的识别方法,其特征在于,通过采集变电站二次设备的开关操作引起的电磁波形数据,进行统计分析,提取特高压GIS变电站二次设备上测录的波形特征参数,同定义波形特征参数比对,从而判定为测录期间发生了瞬态电磁骚扰;包括如下步骤:
1)选择具有分支母线长度可变、多种型式隔离开关试品、多点同步测量系统和多种试验功能的试验特高压GIS全尺寸真型模拟试验回路(如图1所示为特高压GIS全尺寸真型模拟试验回路);
2)在特高压GIS全尺寸真型模拟试验回路上进行的大量试验,采集波形数据;所述GIS变电站二次设备瞬态电磁骚扰的波形具体包含以下特征参数,并定义波形特征参数如下:a.宏脉冲峰峰值:干扰波形最大值与最小值之差;b.宏脉冲最大峰值:干扰波形中最大值与最小值相比绝对值较大的值;c.宏脉冲持续时间:从干扰波形中第一个微脉冲到最后一个微脉冲的时间;d.微脉冲个数:干扰波形中全部微脉冲的个数;e.微脉冲间隔时间:相邻两个微脉冲之间的时间差;f.微脉冲持续时间:从脉冲波形上升开始到基本淹没在环境噪声中为止的时间;g.微脉冲上升时间:微脉冲最大峰值处峰值从10%到90%的时间;以上特征参数可唯一的规定特高压GIS变电站开关操作对二次设备端口产生的瞬态电磁骚扰波形;
3)通过对步骤2)采集的波形数据进行统计分析,提取特高压GIS变电站二次设备上测录的波形特征参数,如果各项参数都符合步骤2)所述的瞬态电磁骚扰波形的特征参数,则可判定为测录期间发生了瞬态电磁骚扰。
所述特高压GIS全尺寸真型模拟试验回路完全按照实际GIS变电站的二次系统接线方式布置,所获得的波形数据具有代表意义。
所述高压GIS变电站二次设备上的实际GIS变电站开关操作引起的瞬态电磁骚扰由于不同的操作类型和不同的传播途径分为合闸共模骚扰、分闸共模骚扰、合闸差模骚扰和分闸差模骚扰四种类型,其参数值有较大的不同。
所述合闸共模骚扰的典型特征参数值为:宏脉冲持续时间116ms,8kV的微脉冲个数为2,微脉冲间隔时间为4.6ms,微脉冲持续时间为5.8us,微脉冲上升时间为43.8ns;4kV的微脉冲个数为2,微脉冲间隔时间为3.1ms,微脉冲持续时间为4.7us,微脉冲上升时间为47.8ns;2kV的微脉冲个数为4,微脉冲间隔时间为1.8ms,微脉冲持续时间为3.5us,微脉冲上升时间为43.7ns;1kV的微脉冲个数为8,微脉冲间隔时间为0.7ms,微脉冲持续时间为2.5us,微脉冲上升时间为44.1ns;0.5kV的微脉冲个数为232,微脉冲间隔时间为0.4ms,微脉冲持续时间为1.7us,微脉冲上升时间为38.2ns。不同骚扰电压等级的脉冲群间隔时间如下:8kV微脉冲群与4kV微脉冲群间隔时间为5.5ms;4kV微脉冲群与2kV微脉冲群间隔时间为4.0ms;2kV微脉冲群与1kV微脉冲群间隔时间为3.5ms;1kV微脉冲群与0.5kV微脉冲群间隔时间为1.7ms。
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