[发明专利]薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、和显示装置

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及一种显示装置，尤其涉及一种薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、和包括这种阵列基板的显示装置。

背景技术

目前在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display(TFT-LCD))、有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode(OLED))显示装置以及有源矩阵有机发光二极体(Active Matrix Organic Light Emitting Diode(AMOLED))显示装置中广泛采用的薄膜晶体管(TFT)主要包括非晶硅薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管。其中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon；LTPS)技术也已应用到薄膜晶体管显示器制造工艺中，其主要是通过准分子激光退火工艺(Excimer Laser Anneal)将非晶硅(a-Si)薄膜转变为多晶硅(Poly-Si)薄膜。相比非晶硅(a-Si)，在这样制成的多晶硅中，电子迁移率有100倍以上的增加。例如，电子迁移率达到200cm²/V-sec以上，可有效减小薄膜晶体管的面积，从而提高显示器的开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。此外，采用LTPS技术的显示装置具有更快的响应时间，更高的分辨率，更佳的画面显示品质。

一般地，在利用这种多晶硅薄膜形成有源层的顶栅薄膜晶体管中，薄膜晶体管的源极、漏极、以及与源极连接的数据线形成在玻璃基板上，栅极形成在源极和漏极的上方，而有源层位于栅极和源漏极之间。另外，在有源层与玻璃基板之间还设有遮光层，用于阻挡从玻璃基板引入的光照射到有源层上从而影响用于形成有源层的低温多晶硅薄膜的电特性。在制作这种阵列基板的过程中，一般需要多个构图工艺分别形成源漏极、遮光层和栅极，每个构图工艺所采用的掩模板具有不同的图形。由于掩膜板造价昂贵，采用多次构图工艺制备阵列基板，工艺复杂，开发费用较高。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、和包括这种阵列基板的显示装置，可以减少了构图工艺的次数，减少了掩模板的使用数量。

根据本发明一个发明的实施例，提供一种薄膜晶体管组件，包括：薄膜晶体管；以及遮光层，所述遮光层设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间，并被构造成用于阻挡光线从外部进入薄膜晶体管的有源层，其中，所述遮光层与薄膜晶体管的源极和漏极形成在同一层中。

在根据本发明的一种实施例的薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管为顶栅式薄膜晶体管。

在根据本发明的一种实施例的薄膜晶体管组件，所述有源层由多晶硅薄膜形成。

在根据本发明的一种实施例的薄膜晶体管组件，在所述有源层上与所述源极和漏极电连接的部位分别设有欧姆掺杂区。

在根据本发明的一种实施例的薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管为N型晶体管。

在根据本发明的一种实施例的薄膜晶体管组件，在所述欧姆掺杂区附近还设有轻掺杂漏区。

根据本发明进一步方面的实施例，提供一种阵列基板，包括：基板；以及多个上述实施例中的任一项所述的薄膜晶体管组件，多个所述薄膜晶体管形成在所述基板上。其中，所述遮光层与薄膜晶体管的源极和漏极在所述基板上形成在同一层中。

在根据本发明的一种实施例的阵列基板中，每个所述薄膜晶体管的源极与相应的数据线连接，并且数据线、遮光层、源极和漏极在所述基板上形成在同一层中。

根据本发明再一方面的实施例，提供一种制作阵列基板的方法，所述阵列基板包括：基板；多个顶栅式薄膜晶体管，形成在所述基板上；以及多个遮光层，每个遮光层在所述基板上设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间并被构造成用于阻挡光线从基板进入相应薄膜晶体管的有源层。所述方法包括如下步骤：在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成依次间隔布置的源极、遮光层和漏极。

在根据本发明的一种实施例的方法中，在执行在基板上利用单个掩模板通过一次构图工艺形成依次间隔布置的源极、遮光层和漏极的步骤之后，还包括如下步骤：

在基板上形成覆盖所述源极、遮光层和漏极的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成有源层；

在所述第一绝缘层上形成覆盖所述有源层的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成栅极；

在第二绝缘层上形成覆盖所述栅极的第三绝缘层；以及