[发明专利]一种像素单元及其制作方法、发光器件、显示装置在审

专利信息
申请号: 201410646200.4 申请日: 2014-11-14
公开(公告)号: CN104409647A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 侯文军;刘则 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 像素 单元 及其 制作方法 发光 器件 显示装置
【权利要求书】:

1.一种像素单元,其包括:像素界定层、第一电极、有机发光显示器件功能层和第二电极;所述像素界定层限定一像素区域,所述第一电极形成于所述像素区域的中间区域;所述有机发光显示器件功能层形成于所述像素区域,且位于所述第一电极之上,且所述有机发光显示器件功能层的面积大于所述第一电极的面积,所述第二电极形成于所述有机发光显示器件功能层之上。

2.如权利要求1所述的像素单元,其中,所述像素界定层包括环状结构的第一像素界定部分和第二像素界定部分,所述第一像素界定部分限定所述像素区域,所述第二像素界定部分由所述第一像素界定部分底部延伸至所述有机发光显示器件功能层下方的边缘区域,并与第一电极连接。

3.如权利要求2所述的像素单元,其中,所述第一像素界定部分的厚度大于所述第二像素界定部分。

4.如权利要求1-3任一项所述的像素单元,其中,所述第一像素界定部分和第二像素界定部分一体成型。

5.如权利要求1-3任一项所述的像素单元,其中,所述第二像素界定部分的厚度等于或大于所述第一电极的厚度。

6.如权利要求5所述的像素单元,其中,所述第一电极的厚度在10-400nm之间。

7.一种发光器件,其包括如权利要求1-6任一项所述的像素单元。

8.一种显示装置,其包括如权利要求7所述的发光器件。

9.一种像素单元的制备方法,其包括:

形成第一电极;

形成像素界定层,对其图形化形成像素区域,且使得所述第一电极位于所述像素区域的中间区域;

在像素区域形成有机发光显示器件功能层,所述有机发光显示器件功能层位于所述第一电极之上,且所述有机发光显示器件功能层的面积大于所述第一电极的面积;

在有机发光显示器件功能层上形成第二电极。

10.如权利要求9所述的像素单元,其中,形成的所述像素界定层包括环状结构的第一像素界定部分和第二像素界定部分,所述第一像素界定部分限定所述像素区域,所述第二像素界定部分由所述第一像素界定部分底部延伸至所述有机发光显示器件功能层下方的边缘区域,并与第一电极连接。

11.如权利要求10所述的像素单元,其中,所述第一像素界定部分的厚度大于所述第二像素界定部分。

12.如权利要求10-11任一项所述的方法,其中,所述形成像素界定层具体包括:

在第一电极上形成一层像素界定层材料;

对所述第一电极上方的所述像素界定层材料进行光刻,使得曝光区域大于所述第一电极的面积;

去除所述第一电极表面的像素界定层材料,减薄所述第一电极边缘的像素界定层材料,形成第一像素界定部分和第二像素界定部分。

13.如权利要求12所述的方法,其中,所述像素界定层材料为无机材料,所述形成像素界定层具体包括:

在第一电极上形成一层无机材料;

利用光刻胶对所述第一电极上方的无机材料进行曝光显影,使得曝光区域大于所述第一电极的面积;

干刻去除所述第一电极表面的像素界定层材料,减薄所述第一电极边缘的像素界定层材料,形成第一像素界定部分和第二像素界定部分。

14.如权利要求12所述的方法,其中,所述像素界定层材料为光刻胶,所述形成像素界定层具体包括:

在第一电极上形成一层光刻胶;

对所述第一电极上方的光刻胶进行曝光显影,使得曝光区域大于所述第一电极的面积;其中,对所述第一电极表面的光刻胶进行全曝光,对所述第一电极边缘的光刻胶控制曝光量,使得显影后的光刻胶厚度等于或大于所述第一电极的厚度,形成第一像素界定部分和第二像素界定部分。

15.如权利要求9-11、13-14任一项所述的方法,其中,通过溶液工艺或蒸镀工艺形成所述有机发光显示器件功能层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410646200.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top