[发明专利]嵌入式元件封装结构的制作方法有效
申请号: | 201410647596.4 | 申请日: | 2014-11-14 |
公开(公告)号: | CN105655258B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 余丞博;陈盈儒 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/58;H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对位柱 堆叠元件 线路基板 对位孔 载板 嵌入式元件 封装结构 介电层 开口 模块设置 导通孔 贯穿 制作 嵌入 对准 | ||
1.一种嵌入式元件封装结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供具有相对两表面的载板,该载板具有位于该两表面的其中一者上的至少两对位柱;
将堆叠元件模块设置在具有该至少两对位柱的该表面上,其中该堆叠元件模块位于该至少两对位柱之间;
提供线路基板,包括第一介电层,其中该第一介电层具有相对的第一表面与第二表面、位于该第二表面的至少两对位孔以及贯穿该第一表面与该第二表面的贯穿开口及至少一导通孔;以及
使各该对位柱对准于对应的该对位孔,并将该线路基板设置在该载板上,以令各该对位柱嵌入对应的该对位孔,且该堆叠元件模块埋设在该贯穿开口内。
2.根据权利要求1所述的嵌入式元件封装结构的制作方法,其特征在于,该堆叠元件模块的制作方法包括:
a、提供核心板,包括核心介电层与位于该核心介电层上的核心金属层;
b、图案化该核心金属层以形成核心线路层,并形成多个贯孔在该核心介电层;
c、形成胶层在该核心介电层上,其中该胶层与该核心线路层位于该核心介电层的相对两侧,且该胶层覆盖该些贯孔;
d、将多个元件分别设置在该些贯孔内,且由该胶层所固定;
e、形成增层结构在该核心介电层上,并覆盖该核心线路层、该些贯孔及该些元件;
重复上述步骤a至e,以分别形成第一封装体与第二封装体;以及
利用该第一封装体与该第二封装体形成多个该堆叠元件模块。
3.根据权利要求2所述的嵌入式元件封装结构的制作方法,其特征在于,利用该第一封装体与该第二封装体以形成多个该堆叠元件模块的制作方法包括:
单体化该第一封装体以形成多个第一封装单元;
单体化该第二封装体以形成多个第二封装单元;
翻转该些第二封装单元,使各该第二封装单元的该胶层朝向对应的该第一封装单元的该胶层;以及
移除各该第二封装单元的该胶层,并使各该第一封装单元叠置于对应的该第二封装单元上,其中各该第一封装单元的该胶层连接对应的该第二封装单元的该核心介电层。
4.根据权利要求2所述的嵌入式元件封装结构的制作方法,其特征在于,所述步骤e形成该增层结构在该核心介电层上,并覆盖该核心线路层、该些贯孔及该些元件的制作方法,包括:
提供增层介电层与增层金属层,其中该增层金属层位于该增层介电层的表面上;
使该增层介电层压合至该核心介电层,以令该增层介电层覆盖该核心线路层、该些贯孔及该些元件;以及
图案化该增层金属层以形成增层线路层,并形成多个导电通孔在该增层介电层,其中各该导电通孔电性连接该增层线路层与对应的该元件。
5.根据权利要求1所述的嵌入式元件封装结构的制作方法,其特征在于,该载板的制作方法包括:
提供第二介电层,其中该第二介电层的相对两表面上分别设置有第一金属层与第二金属层;以及
图案化该第一金属层,以形成该至少两对位柱。
6.根据权利要求5所述的嵌入式元件封装结构的制作方法,其特征在于,该第一金属层的厚度大于该第二金属层的厚度。
7.根据权利要求5所述的嵌入式元件封装结构的制作方法,其特征在于,该线路基板的制作方法包括:
提供该第一介电层、位于该第一介电层的该第一表面上的第三金属层以及位于该第一介电层的该第二表面上的第四金属层;
图案化该第三金属层与该第四金属层,以分别形成第三线路层与第四线路层;
形成贯穿该第一表面与该第二表面的该至少一导通孔,以电性连接该第三线路层与该第四线路层;以及
形成位于该第二表面的该至少两对位孔,并形成贯穿该第一表面与该第二表面的该贯穿开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造