[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其特征在于，所述半导体封装件包括：

基板，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；

半导体芯片，安装于基板的第一表面上；以及

包封构件，包封半导体芯片，并包括形成有微细结构的外表面，微细结构具有微米级别的尺寸，

其中，微细结构包括突起和与突起相邻地设置的凹陷。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，包封构件的外表面包括基本上面对基板的第一表面的上表面和将包封构件的上表面连接到基板的第一表面的侧表面，包封构件的上表面和侧表面中的至少一者形成有微细结构。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，微细结构包括交替地布置的多个突起和多个凹陷。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，突起和凹陷中的每个具有棱柱、棱锥、棱台、圆柱、圆锥、圆台或不规则立体形状。

5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，每个突起具有0.25至40的高宽比，每个凹陷具有0.25至40的深宽比。

6.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，突起具有20μm-80μm的高度，凹陷具有20μm-80μm的深度，

凹陷具有2μm-10μm的宽度，

突起包括位于上表面的中心区域的突起和位于上表面的中心区域周边的多个突起，位于上表面的中心区域的突起具有20μm-80μm的宽度，位于上表面的中心区域周边的多个突起中的每个具有2μm-10μm的宽度，

位于上表面的中心区域的突起用作标记图案。

7.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，突起具有20μm-80μm的高度，凹陷具有20μm-80μm的深度，

突起具有2μm-10μm的宽度，

凹陷包括位于上表面的中心区域的凹陷和位于上表面的中心区域周边的多个凹陷，位于上表面的中心区域的凹陷具有20μm-80μm的宽度，位于上表面的中心区域周边的多个凹陷中的每个具有2μm-10μm的宽度，

位于上表面的中心区域的凹陷用作标记图案。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述半导体封装件还包括设置在基板的第二表面上的外部连接端子。

9.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基板；

将半导体芯片安装于基板的第一表面上；

将其上安装有半导体芯片的基板置于模具中；

将包封构件前体施用到基板的第一表面和半导体芯片上以包封半导体芯片，并在包封构件前体的上表面上按压模塑带，其中，模塑带的按压包封构件前体的上表面的表面形成有微细结构，模塑带的微细结构具有微米级别的尺寸并包括凹陷和与凹陷相邻地设置的突起；

将包封构件前体在预定的固化温度下保持预定的时间，使得包封构件前体固化以形成包封构件，包封构件包括形成有微细结构的上表面，包封构件的微细结构具有微米级别的尺寸并包括突起和与突起相邻地设置的凹陷；以及

去除模具和模塑带。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，模塑带的微细结构包括交替地布置的多个突起和多个凹陷。