[发明专利]一种适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路有效
| 申请号： | 201410647848.3 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104320114A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李新富;欧余斯;程亮亮 | 申请（专利权）人： | 杭州桑尼能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H03K19/14 |
| 代理公司： | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人： | 李大刚;刘晓阳 |
| 地址： | 311500 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 igbt mos 性能 抗干扰 驱动 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路，其特征在于：包括光耦(OC)和输入端连接在DSP的IO口或PWM口上的非门电路(NOT1)；所述光耦(OC)内的发光二极管阳级连接至第一电源(VCC1)，光耦(OC)内的发光二极管阴级经过第一限流电阻(R3)连接至非门电路(NOT1)的输出端，所述非门电路(NOT1)的输出端还设有一个上拉电阻(R2)，上拉电阻(R2)与第二电源(VCC2)相连，所述光耦(OC)的信号输出端连接至受控的IGBT或MOS。
2.根据权利要求1所述的适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路，其特征在于：所述光耦(OC)内的发光二极管阳级的阴阳两极之间连接有稳压电阻(R4)。
3.根据权利要求1所述的适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路，其特征在于：所述非门电路(NOT1)的输入端设有下拉电阻(R1)。
4.根据权利要求1所述的适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路，其特征在于：所述光耦(OC)内的发光二极管阳级的阳极上设有接地的电容(C1)。
5.根据权利要求1所述的适用于IGBT和MOS的高性能抗干扰驱动电路，其特征在于：所述DSP的IO口或是PWM口在实现抗干扰驱动电路时输出PWM信号或实现驱动IGBT或MOS所需要的高低电平。
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