[发明专利]电缆连接装置及方法有效

专利信息
申请号: 201410648963.2 申请日: 2014-11-14
公开(公告)号: CN104319727A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 李小军;徐义全;陈德财 申请(专利权)人: 中科英华高技术股份有限公司
主分类号: H02G15/18 分类号: H02G15/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李海建
地址: 130000 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 电缆 连接 装置 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电气设备技术领域,特别是涉及一种电缆连接装置。此外,本发明还涉及一种电缆连接的方法。

背景技术

高压输电电缆是高压电输送必不可少的设备,在架设高压输电线路的过程中,常需要连接两根不同的输电电缆。常用的输电电缆连接普遍使用的方法是先将输电电缆进行预处理,压接连接管,然后在压接好的连接管表面缠绕半导电带,或者缠绕半导电带和防水填充胶,使得缠绕后的表面与电缆的绝缘层平齐,然后进行其他的如中间接头主体安装等步骤。

采用上述连接方法具有一些缺点与不足:其安装时间过长,在安装电缆主体时,缠绕层与电缆主体之间容易产生气隙,并且在缠绕各种带材料的层间也容易产生气隙,缠绕完成之后的表面不能保证均匀一致,表面常常存在凸凹不平的现象。另外,带材料与电缆主体绝缘切断处不能完全搭接,电缆弯曲后使得缠绕的带材料受压迫变形,导致接触面产生更大的气隙。

上述安装过程中产生的气隙会对电缆的安全运行带来隐患,气隙的击穿电压强度3kV/mm远远小于绝缘层以及附件绝缘层的击穿电压强度25kV/mm;在电缆运行过程中气隙容易产生局部放电进而产生局部击穿并形成能够放电的通路,长期运行过程中会形成电树、沿面放电等现象,直至电缆或者附件击穿,产生运行事故。电场强度与气隙介电常数成反比,气隙的介电常数约为1,电缆或者其附件的介电常数约为2.5,电缆运行时在气隙中形成的电场强度为在电缆或者其附件中的2.5倍,在较高的电场强度作用下,气隙同样会产生局部放电甚至击穿。

因此,如何设计一种能够很好的解决输电线路中电缆连接的装置,避免局部放电甚至击穿现象的发生,提高电缆连接的安全性。

发明内容

本发明的目的是提供一种电缆连接装置,该装置能够解决输电电缆连接时产生的气隙问题,避免了局部放电甚至是击穿现象的发生。本发明的另一目的是提供能够实现上述技术效果的电缆连接方法。

为解决上述技术问题,本发明提供一种电缆连接装置,包括连接管,其还包括:

覆盖在所述连接管外侧,与电缆的绝缘层接触的屏蔽罩;

两端分别与电缆导体和所述屏蔽罩连接的均压导线。

优选地,所述屏蔽罩采用销钉固定连接在所述连接管上。

优选地,所述屏蔽罩为具有台阶状内壁的圆筒罩,所述屏蔽罩的两端开口的内径大于其中间内腔的直径。

优选地,所述屏蔽罩的两端开口部位与所述绝缘层密封接触,其尺寸相互配合。

优选地,所述均压导线的一端与所述电缆导体接触并伸出连接管端部,另一端通过接线端子与所述屏蔽罩的内壁连接。

优选地,所述均压导线连接于所述屏蔽罩的靠近中间部位的内壁上。

本发明还提供一种电缆连接方法,适用于上述任一项所述的电缆连接装置,其包括以下步骤:

1)将所述绝缘层和电缆外屏蔽层按照连接要求切出规定的尺寸;

2)将所述绝缘层靠近所述电缆导体裸露部分的一段端面直径切削,使其半径小于所述屏蔽罩两端开口处的内径;

3)将所述连接管与所述均压导线依次安装到所述电缆导体外侧,所述均压导线的一端压接在所述电缆导体与所述连接管之间,所述均压导线的另一端伸出至所述连接管的外部,留出接线端子;

4)将所述均压导线接线端子的一端安装在所述屏蔽罩的内侧壁上,然后将所述屏蔽罩安装在所述连接管的外侧,并用销钉将所述屏蔽罩固定在所述连接管上,并使所述屏蔽罩的外侧壁与所述绝缘层的外侧壁的半径相同。

本发明所提供的电缆连接装置,具有连接管以及屏蔽罩,通过连接管将两根电缆导体固定连接,并且通过设置金属屏蔽罩,替代了原有的用半导电带缠绕或者半导电带缠绕与防水填充胶并用的连接方式对电缆进行固定的方式,减少了气隙的产生,降低产生击穿电压的可能。设置有均压导线,分别连接电缆导体与屏蔽罩的内侧,使电缆导体处与屏蔽罩处的电位相同,避免了因电位梯度差引起的放电现象,提高了安全性。本发明所提供的电缆连接装置简化了安装程序、缩短了安装时间。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或者现有技术中的技术方案,下面将对实施例或者现有技术的描述中需要使用的附图作首要说明,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式,对于本领域的技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可根据这些附图得出其他附图。

图1为本发明所提供的电缆连接装置一种具体的实施方式的结构示意图;

图2为图1中所示B部分的结构放大图;

图3为图1中所示A部分的结构放大图;

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