[发明专利]一种防止晶体生长过程中晶体开裂的方法

权利要求书

1.一种防止泡生法晶体生长过程中晶体开裂的方法，其特征在于： 在泡生法中待晶体生长至等径后期将提拉速率升高至等径阶段提拉速率的 5-8倍，降温斜率降至等径阶段降温斜率的1/4-3/4，使晶体生长速率降低 至等径阶段长速的1/3-3/4，进行等径收尾生长；待晶体重量达到投料量后， 继续升高至收尾阶段提拉速率的5-8倍，增大降温斜率至收尾阶段降温斜 率的5-7倍，直至晶体生长完成，停止提拉；而后将泡生炉功率升高至引 晶功率，保持附近5-30min，同时缓慢上提提拉杆5-30mm，直到晶体质量 稳定在投料量附近，晶体自动脱离坩埚，处于悬空状态，而后进入降温使 单晶凝固成晶碇。

2.按权利要求1所述的防止泡生法晶体生长过程中晶体开裂的方法， 其特征在于：氧化铝原料装入泡生炉坩埚内使原料熔化，提拉籽晶进行引 晶，使晶体生长，待晶体生长至原料投料量重量的1/2-3/4，以0.2-2mm/h 的提拉速率进行提拉，同时以2-6mv/h的降温速率使将晶体生长速度降低 至等径阶段长速的1/3-3/4，进行等径收尾生长。

3.按权利要求1所述的防止泡生法晶体生长过程中晶体开裂的方法， 其特征在于：当所述生长的晶体重量达到原料投料量时，继续以0.2-2mm/h 的提拉速率进行提拉，同时以8-20mv/h的降温速率进行降温，直至生长的 晶体重量超过原料投料量的10-30kg，停止提拉。

4.按权利要求1所述的防止泡生法晶体生长过程中晶体开裂的方法， 其特征在于：所述停止提拉后将泡生炉功率升高至引晶功率,并保持 5-30min，随着温度升高，晶体重量会逐渐下降，同时手动缓慢上提提拉杆 5-30mm，,直到晶体质量等同于原料投料量，晶体自动脱离泡生炉的坩埚， 处于悬空状态，悬空后恢复功率至长晶结束时的功率值，停留观察 20-90min，使晶体一直悬空，没有出现二次粘埚，而后进入降温阶段。

5.按权利要求4所述的防止泡生法晶体生长过程中晶体开裂的方 法，其特征在于：所述缓慢上提提拉杆时提拉速率为1-15mm/min。