[发明专利]电容式触摸屏有效
申请号: | 201410649220.7 | 申请日: | 2014-11-14 |
公开(公告)号: | CN104317468B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 陈西宝;于甄;解金库;曹星星;王道翠 | 申请(专利权)人: | 张家港康得新光电材料有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 215634 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 感应层 电容式触摸屏 导电图形层 硬涂层 透明导电膜 超低电阻 显示层 大尺寸触摸屏 导电性 膜系结构 柔性电容 触摸屏 基材层 耐弯折 折叠 量产 申请 应用 | ||
本申请提供了一种电容式触摸屏。该电容式触摸屏包括:硬涂层、感应层、显示层,感应层设置在硬涂层的表面上,感应层包括基材层与导电图形层,导电图形层为超低电阻透明导电膜;显示层设置在所述感应层的远离硬涂层的一侧。该电容式触摸屏的感应层设置在硬涂层的表面上,使得感应层耐弯折;导电图形层由超低电阻透明导电膜形成,其特殊的膜系结构,使得导电图形层具有良好的柔性,可实现大幅度弯曲甚至折叠;另外,超低电阻透明导电膜的方阻值较小,具有良好的导电性使其能够很好地应用于大尺寸触摸屏领域,使得柔性电容式触摸屏具有实现量产的可能性。
技术领域
本发明涉及触摸屏领域,具体而言,涉及一种电容式触摸屏。
背景技术
随着科技的不断发展,触摸屏作为一种简单、便捷的人机交互方式,已经广泛应用于我们日常生活的各个领域,随着人们要求的不断提高,触摸屏正向着大尺寸、高解析度、轻、薄、可弯曲、低成本等方向发展。目前,LG,三星,苹果都在纷纷推出自己的柔性电容式触摸屏。
为了实现真正的产品柔性化,柔性触摸屏,即可弯曲触摸屏应运而生,与传统触摸屏相比,可弯曲触摸屏不仅在体积上更加轻薄,功耗上也低于原有器件,有助于提升设备的续航能力,同时基于其可弯曲、柔韧性佳的特性,其耐用程度也大大高于传统硬质触摸屏,降低设备意外损伤的概率,同时具有体积更小,更耐用、且可以弯曲方便携带的效果,也因其低功耗、可弯曲的特性对可穿戴式设备的应用带来深远的影响。
但是现在的柔性电容式触摸屏只能实现部分弯曲,使得量产无法实现,且无法应用于大尺寸触摸屏领域。
发明内容
本发明旨在提供一种电容式触摸屏,以解决现有技术中电容式触摸屏难只能实现部分弯曲而不能折叠的问题。
为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种电容式触摸屏,上述电容式触摸屏包括:硬涂层;感应层,设置在硬涂层的表面上,包括基材层与导电图形层,上述导电图形层由超低电阻透明导电膜形成;以及显示层,设置在上述感应层的远离硬涂层的一侧。
进一步地,上述硬涂层的厚度为5~50μm,优选为5~10μm。
进一步地,上述超低电阻透明导电膜的厚度为5~100nm,优选为8~10nm。
进一步地,上述超低电阻透明导电膜包括:第一ITO导电层;第一抗氧化层,设置在上述第一ITO导电层的表面上;金属层,设置在上述第一抗氧化层的远离上述第一ITO导电层的表面上;第二抗氧化层,设置在上述金属层的远离上述第一抗氧化层的表面上;第二ITO导电层,设置在上述第二抗氧化层的远离上述金属层的表面上。
进一步地,上述金属层为金层或银层,优选上述金属层的厚度为6nm~12nm。
进一步地,上述第一ITO导电层与上述第二ITO导电层的光学厚度相等,上述第一ITO导电层与上述第二ITO导电层的光学厚度的总和为0.8~2.0个光学单位,优选上述第一ITO导电层与上述第二ITO导电层的折射率均大于2。
进一步地,上述基材层为柔性透明基材层,优选为PET材料层。
进一步地,上述导电图形层设置在硬涂层的表面上,上述基材层设置在上述导电图形层的远离上述硬涂层的表面上。
进一步地,上述基材层设置在硬涂层的表面上,上述导电图形层设置在上述基材层的远离上述硬涂层的表面上。
进一步地,上述感应层包括第一导电图形层与第二导电图形层,上述第一导电图形层设置在上述硬涂层的表面上,上述基材层设置在第一导电图形层的远离上述硬涂层的表面上,上述第二导电图形层设置在上述基材层的远离上述第一导电图形层的表面上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张家港康得新光电材料有限公司,未经张家港康得新光电材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410649220.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。