[发明专利]透明导电结构与包含该透明导电结构的电容式触摸屏有效
申请号: | 201410649258.4 | 申请日: | 2014-11-14 |
公开(公告)号: | CN104409139A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 解金库;于甄;陈西宝;丁晓峰;高建聪 | 申请(专利权)人: | 张家港康得新光电材料有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;G06F3/044 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 215634 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电 结构 包含 电容 触摸屏 | ||
1.一种透明导电结构,包括透明导电膜,其特征在于,所述透明导电膜包括:
第一高折导电层;
第一钝化层,设置在所述第一高折导电层的表面上;
金属层,设置在所述第一钝化层的远离所述第一高折导电层的表面上;
第二钝化层,设置在所述金属层的远离所述第一钝化层的表面上;
第二高折导电层,设置在所述第二钝化层的远离所述金属层的表面上。
2.根据权利要求1所述的透明导电结构,其特征在于,形成所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料为抗氧化金属材料。
3.根据权利要求2所述的透明导电结构,其特征在于,所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料相同或不同,所述抗氧化金属材料为锌或钛。
4.根据权利要求2所述的透明导电结构,其特征在于,所述第一钝化层与所述第二钝化层的厚度相同,所述厚度在1nm~10nm之间,优选在1nm~5nm之间。
5.根据权利要求1所述的透明导电结构,其特征在于,所述金属层为金层或银层。
6.根据权利要求5所述的透明导电结构,其特征在于,所述金属层的厚度为6nm~12nm。
7.根据权利要求1所述的透明导电结构,其特征在于,所述第一高折导电层与所述第二高折导电层的光学厚度相等,所述第一高折导电层和所述第二高折导电层的光学厚度总和为0.8~2.0个光学单位。
8.根据权利要求1所述的透明导电结构,其特征在于,所述第一高折导电层与所述第二高折导电层的折射率均大于2。
9.根据权利要求1所述的透明导电结构,其特征在于,所述透明导电结构还包括透明基材层,所述透明基材层设置在所述第一高折导电层的远离所述第一钝化层的表面上。
10.根据权利要求9所述的透明导电结构,其特征在于,所述透明基材层为柔性透明基材层,优选为PET材料层。
11.根据权利要求9所述的透明导电结构,其特征在于,所述透明导电结构还包括水汽阻隔层,所述水汽阻隔层设置在透明基材层的远离所述第一高折导电层的表面上。
12.根据权利要求11所述的透明导电结构,其特征在于,所述水汽阻隔层包括:
第一薄膜,设置在所述透明基材层的远离所述第一高折导电层的表面上;
第二薄膜,设置在所述第一薄膜的远离所述透明基材层的表面上;
保护膜,设置在所述第二薄膜的远离所述第一薄膜的表面上。
13.根据权利要求12所述的透明导电结构,其特征在于,所述第一薄膜的厚度在10nm~100nm之间。
14.根据权利要求12所述的透明导电结构,其特征在于,所述第一薄膜为无机氧化物,优选为ITO材料。
15.根据权利要求12所述的透明导电结构,其特征在于,所述第二薄膜为无机氧化物,优选为Al2O3或SiO2。
16.根据权利要求12所述的透明导电结构,其特征在于,所述保护膜为PET膜。
17.一种电容式触摸屏,包括透明导电结构,其特征在于,所述透明导电结构为权利要求1至16中任一项所述的透明导电结构。
18.根据权利要求17所述的电容式触摸屏,其特征在于,所述透明导电结构为两个,分别为第一透明导电结构和第二透明导电结构,所述电容式触摸屏还包括透明胶层,所述第一透明导电结构和所述第二透明导电结构设置在所述透明胶层的相对两个表面上,且各所述透明导电结构的所述透明导电膜设置在所述透明胶层上,当所述透明导电结构还包括水汽阻隔层时,所述第一透明导电结构的所述水汽阻隔层被基板代替。
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