[发明专利]一种共溅射低温快速制备多晶硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201410649289.X | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104404462B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 杨培志;段良飞;杨雯 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650500 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 溅射 低温 快速 制备 多晶 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种共溅射低温快速制备多晶硅薄膜的方法，其特征包括：采用磁控溅射镀膜系统，在衬底上进行双靶共溅射，其中非晶硅（a-Si）薄膜的溅射功率为100W~300W，铝（Al）膜的溅射功率为20~30W，制备Al/a-Si复合膜，将Al/a-Si复合膜在快速退火炉中于N2气氛下进行低温快速退火，制备出晶华率高、晶粒尺寸均匀的多晶硅薄膜；退火温度在150℃~300℃，退火时间为10~15min，其薄膜晶化率达到45%~90%、晶粒尺寸达到30~80nm。
2.如权利要求1所述的方法，其特征是，通过共溅射将Al均匀填埋在a-Si薄膜基质中形成复合薄膜。
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